參數(shù)資料
型號： NSBC114EPDXV6T1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： Dual Bias Resistor Transistors(雙偏置電阻晶體管)
中文描述： 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, CASE 463A-01, 6 PIN
文件頁數(shù)： 3/14頁
文件大?。?/td> 171K
代理商： NSBC114EPDXV6T1
NSBC114EPDXV6T1, NSBC114EPDXV6T5
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted, common for Q
1
and Q
2
, minus sign for Q
1
(PNP) omitted)
Characteristic
Unit
Max
Typ
Min
Symbol
ON CHARACTERISTICS
(Note 3)
Output Voltage (on)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 2.5 V, R
L
= 1.0 k )
NSBC114EPDXV6T1
NSBC124EPDXV6T1
NSBC114YPDXV6T1
NSBC114TPDXV6T1
NSBC143TPDXV6T1
NSBC113EPDXV6T1
NSBC123EPDXV6T1
NSBC143EPDXV6T1
NSBC143ZPDXV6T1
NSBC124XPDXV6T1
NSBC123JPDXV6T1
NSBC144EPDXV6T1
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 3.5 V, R
L
= 1.0 k )
V
OL
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
0.2
Vdc
Output Voltage (off)
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.5 V, R
= 1.0 k )
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.050 V, R
L
= 1.0 k )
(V
CC
= 5.0 V, V
B
= 0.25 V, R
L
= 1.0 k )
NSBC113EPDXV6T1
NSBC114TPDXV6T1
NSBC143TPDXV6T1
NSBC143ZPDXV6T1
V
OH
4.9
Vdc
Input Resistor
NSBC114EPDXV6T1
NSBC124EPDXV6T1
NSBC144EPDXV6T1
NSBC114YPDXV6T1
NSBC114TPDXV6T1
NSBC143TPDXV6T1
NSBC113EPDXV6T1
NSBC123EPDXV6T1
NSBC143EPDXV6T1
NSBC143ZPDXV6T1
NSBC124XPDXV6T1
NSBC123JPDXV6T1
R1
7.0
15.4
32.9
7.0
7.0
3.3
0.7
1.5
3.3
3.3
15.4
1.54
10
22
47
10
10
4.7
1.0
2.2
4.7
4.7
22
2.2
13
28.6
61.1
13
13
6.1
1.3
2.9
6.1
6.1
28.6
2.86
k
Resistor Ratio
NSBC114EPDXV6T1/NSBC124EPDXV6T1/NSBC144EPDXV6T1
NSBC114YPDXV6T1
NSBC114TPDXV6T1/NSBC143TPDXV6T1
NSBC113EPDXV6T1/NSBC123EPDXV6T1/NSBC143EPDXV6T1
NSBC143ZPDXV6T1
NSBC124XPDXV6T1
NSBC123JPDXV6T1
R1/R2
0.8
0.17
0.8
0.055
0.38
0.038
1.0
0.21
1.0
0.1
0.47
0.047
1.2
0.25
1.2
0.185
0.56
0.056
2. New resistor combinations. Updated curves to follow in subsequent data sheets.
3. Pulse Test: Pulse Width < 300 s, Duty Cycle < 2.0%
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PDF描述
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參數(shù)描述
NSBC114EPDXV6T1G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
NSBC114EPDXV6T5 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA Complementary RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
NSBC114EPDXV6T5G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
NSBC114TDP6T5G 功能描述:開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器 DUAL NBRT RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續(xù)電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
NSBC114TDXV6 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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