參數(shù)資料
型號： NGP15N41CL
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts(隔離柵雙極性晶體管，15A，410V)
中文描述： 15 A, 440 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 5/12頁
文件大?。?/td> 94K
代理商： NGP15N41CL
NGD15N41CLT4, NGB15N41CLT4, NGP15N41CL
http://onsemi.com
5
TEMPERATURE (
°
C)
T
50
50
70
10
10
90
30
130 150
Mean + 4
σ
Mean 4
σ
Mean
GATE TO EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
1.2
0.2
0
2
0.6
1
1.6
10000
1000
100
10
0
6
4
0
50
8
10
12
Figure 7. CollectortoEmitter Voltage versus
GatetoEmitter Voltage
Figure 8. Capacitance Variation
Figure 9. Gate Threshold Voltage versus
Temperature
Figure 10. Minimum Open Secondary Latch
Current versus Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
I
L
,
Figure 11. Typical Open Secondary Latch
Current versus Temperature
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Inductive Switching Fall Time
versus Temperature
TEMPERATURE (
°
C)
C
S
μ
s
0
120
60
40
20
140
180
50
50
75
25
0
100
25
125
10
20
5
15
0
25
30
T
J
= 150
°
C
175
V
CC
= 50 V
V
GE
= 5 V
R
G
= 1000
L = 6 mH
200
80
100
160
50
70
30
10
90
30
130
150
t
f
V
CC
= 300 V
V
GE
= 5 V
R
G
= 1000
I
C
= 10 A
L = 300
μ
H
C
rss
C
iss
C
oss
2.5
3
6
7
5
8
4
9
1
0.5
2
0
3
1.5
10
I
C
= 15 A
I
C
= 10 A
I
C
= 5 A
C
1
30
110
0.4
0.8
1.4
1.8
150
L = 3 mH
L = 2 mH
TEMPERATURE (
°
C)
I
L
,
50
50
75
25
0
100
25
125
10
20
5
15
0
25
30
175
V
CC
= 50 V
V
GE
= 5 V
R
G
= 1000
L = 6 mH
150
L = 3 mH
L = 2 mH
2
10
110
t
d(off)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NGD18N40CLB Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
NGD18N40CLBT4 Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
NID5001N Self-protected FET with Temperature and Current Limit(自保護(hù)型FET（帶過溫和過流保護(hù)）)
NID5003N Self-Protected FET with Temperature and Current Limit(帶溫度和電流限制的自保護(hù)FET)
NID5003NT4 42 V, 20 A, Single N−Channel, DPAK
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NGP15N41CLG 功能描述:IGBT 晶體管 15A 410V Ignition RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
NGP15N41CLG 制造商:ON Semiconductor 功能描述:SINGLE IGNITION IGBT 410V 15A
NGP8203N 功能描述:IGBT 晶體管 IGBT TO220 400V 20A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
NGPAR70ASS 制造商:NICHIA 制造商全稱:NICHIA CORPORATION 功能描述:AMBER LED
NGPBR70ASS 制造商:NICHIA 制造商全稱:NICHIA CORPORATION 功能描述:BLUE LED
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