參數(shù)資料
型號(hào)： NGD15N41CLT4
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts
中文描述： 15 A, 440 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： CASE 369C-01, DPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 11/12頁(yè)
文件大小： 94K
代理商： NGD15N41CLT4
NGD15N41CLT4, NGB15N41CLT4, NGP15N41CL
http://onsemi.com
11
PACKAGE DIMENSIONS
STYLE 4:
PIN 1. GATE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
D
2
PAK
CASE 418B04
ISSUE H
SEATING
PLANE
S
G
D
T
M
0.13 (0.005)
T
2
3
1
4
3 PL
K
J
H
V
E
C
A
B
M
B
W
W
8.38
0.33
1.016
0.04
17.02
0.67
10.66
0.42
3.05
0.12
6.096
0.24
mm
inches
SCALE 3:1
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
SOLDERING FOOTPRINT*
M
L
F
M
L
F
M
L
F
VARIABLE
CONFIGURATION
ZONE
R
N
P
U
VIEW WW
1
VIEW WW
2
VIEW WW
3
DIM
A
B
C
D
E
F
MIN
0.340
0.380
0.160
0.020
0.045
0.310
MAX
0.380
0.405
0.190
0.035
0.055
0.350
MIN
8.64
9.65
4.06
0.51
1.14
7.87
MAX
9.65
10.29
4.83
0.89
1.40
8.89
MILLIMETERS
INCHES
G
H
J
K
L
M
N
P
R
0.100 BSC
0.080
0.018
0.090
0.052
0.280
0.197 REF
0.079 REF
0.039 REF
2.54 BSC
2.03
0.46
2.29
1.32
7.11
5.00 REF
2.00 REF
0.99 REF
0.110
0.025
0.110
0.072
0.320
2.79
0.64
2.79
1.83
8.13
S
V
0.575
0.045
0.625
0.055
14.60
1.14
15.88
1.40
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. 418B01 THRU 418B03 OBSOLETE,
NEW STANDARD 418B04.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NGP15N41CL Ignition IGBT 15 Amps, 410 Volts(隔離柵雙極性晶體管，15A，410V)
NGD18N40CLB Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
NGD18N40CLBT4 Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
NID5001N Self-protected FET with Temperature and Current Limit(自保護(hù)型FET（帶過(guò)溫和過(guò)流保護(hù)）)
NID5003N Self-Protected FET with Temperature and Current Limit(帶溫度和電流限制的自保護(hù)FET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NGD15N41CLT4G 功能描述:IGBT 晶體管 15A 410V Ignition RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
NGD15N41CLT4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:IGBT
NGD18N40ACLB 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT, 18 A, 400 V N.Channel DPAK
NGD18N40ACLBT4G 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
NGD18N40CLB 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Ignition IGBT 18 Amps, 400 Volts
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