參數(shù)資料
型號(hào)： NEZ5964-8DD
廠商： NEC Corp.
英文描述： 4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
中文描述： 4W/8W C波段砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管N溝道砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/18頁(yè)
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代理商： NEZ5964-8DD
3
4W/8W C-BAND Power-GaAs FET NEZ Series
4W PERFORMANCE SPECIFICATIONS (T
A
= 25 C, Z
S
= ZL = 50
)
P1dB
GL
IDS
GL
IM
3
η
add
TEST CONDITIONS
PART NUMBER
(dBm)
(dB)
(A)
(dB)
(dBc)
(%)
V
DS
I
DS
FREQUENCY IM
3
TEST
*1
*2
*3, 4
*4
(RF OFF)
BAND
FREQ.
MIN. TYP. MIN. TYP. TYP. MAX. MAX. TYP. MAX. TYP.
(V)
(A)
(GHz)
(GHz)
*5
NEZ3642-4D
35.5
36.5
10.0
11.0
1.2
1.5
1.0
– 45
– 42
43
10
0.8
3.6 to 4.2
4.2
NEZ4450-4D, 4DD 35.5
36.5
9.5
10.5
1.2
1.5
1.0
– 45
– 42
40
10
0.8
4.4 to 5.0
5.0
NEZ5964-4D, 4DD 35.5
36.5
9.0
10.0
1.2
1.5
1.0
– 45
– 42
37
10
0.8
5.9 to 6.45
6.45
NEZ6472-4D, 4DD 35.5
36.5
8.0
9.0
1.2
1.5
1.0
– 45
– 42
35
10
0.8
6.4 to 7.2
7.2
NEZ7177-4D, 4DD 35.5
36.5
7.5
8.5
1.2
1.5
1.0
– 45
– 42
33
10
0.8
7.1 to 7.7
7.7
NEZ7785-4D, 4DD 35.5
36.5
7.0
8.0
1.2
1.5
1.0
– 45
– 42
33
10
0.8
7.7 to 8.5
8.5
Notes *1
Output power at 1dB gain compression point
*2
IDS values are specified at P1dB point.
*3
Gain flatness
*4
Applies to – 4DD option only
*5
IM
3
test conditions: f = 10 MHz, 2 tones test, P
O
= 26dBm (single carrier level)
MAXIMUM OPERATING LIMITS
Rg max.
(
)
V
DS
max.
(V)
200
10
Rg max is the maximum series resistance between the gate supply and the FET gate.
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PDF描述
NEZ4450-4DD VARISTOR, 300VAC; Series:VE; Voltage rating, AC:300V; Suppressor type:Varistors; Voltage rating, DC:385V; Current, Peak Pulse IPP @ 8/20uS:2500A; Voltage, clamping 8/20us max:775V; Energy, transient 10/1000us max:45J; RoHS Compliant: Yes
NEZ4450-8D 4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
NEZ4450-8DD VARISTOR, 275VAC; Series:VE; Voltage rating, AC:275V; Suppressor type:Varistors; Voltage rating, DC:350V; Current, Peak Pulse IPP @ 8/20uS:4500A; Voltage, clamping 8/20us max:710V; Energy, transient 10/1000us max:71J; RoHS Compliant: Yes
NEZ7785-4D 4W/8W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET
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