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參數(shù)資料
| 型號： | NEL2012F03-24 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR L BAND POWER AMPLIFIER |
| 中文描述： | NPN硅外延晶體管L波段脈沖功率放大器 |
| 文件頁數(shù)： | 9/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 108K |
| 代理商： | NEL2012F03-24 |
9
NEL2012F03-24
Circuit Drawing
40 mm
40 mm
Through
Hole
1 mm
×
4
1
1
1
1
1
1
1
1
2
1
1
0.5
0.5
5
5
5
8
8
3
6.6
6
22
22
1
1
2
1
5
2
2
8
7
1
2
1
1
3
2
9
1
1 2
6
18.2
18.2
7.4
1
Input
Output
8
4.2
1
SUBSTRATE (TEFLON)
DICLAD522T
THICKNESS = 0.79 mm
DOUBLE SIDE 35
P
m Cu
H
r
= 2. 6
NEL2012F03-24
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NEL2035F03-24 | NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR L Band Power Amplifier |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NEL2035F03-24 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR L Band Power Amplifier |
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