參數(shù)資料
型號(hào): NE961R200
廠商: NEC Corp.
英文描述: 0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
中文描述: 0.2蠟質(zhì),Ku波段功率GaAs場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù): 4/12頁(yè)
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代理商: NE961R200
Preliminary Data Sheet P13775EJ2V0DS00
4
NE960R2 SERIES
TYPICAL S-PARAMETER
[NE960R275]
TEST CONDITIONS: V
DS
= 9 V, I
Dset
= 90 mA
FREQUENCY
GHz
S
11
S
21
S
12
S
22
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
MAG.
ANG. (deg.)
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
0.89
0.86
0.85
0.84
0.81
0.83
0.81
0.75
0.71
0.62
0.48
0.54
0.69
0.80
0.81
–113
–129
–138
–140
–144
–152
–163
–176
166
140
86
20
–20
–45
–66
3.99
2.88
2.29
1.99
1.78
1.77
1.82
1.89
2.12
2.42
2.50
2.32
1.77
1.30
1.03
98
80
65
51
39
27
15
0
–19
–44
–78
–113
–144
–166
167
0.057
0.058
0.057
0.057
0.059
0.060
0.062
0.062
0.064
0.072
0.074
0.065
0.049
0.040
0.039
34
15
10
7
5
3
3
1
0
–17
–46
–88
–132
–176
149
0.42
0.46
0.43
0.41
0.44
0.49
0.53
0.52
0.47
0.45
0.50
0.56
0.59
0.61
0.67
–79
–85
–94
–110
–125
–135
–141
–150
–167
164
129
94
68
44
27
START 2 GHz, STOP 16 GHz, STEP 1 GHz
1.0
0.5
2.0
0
–0.5
–1.0
–2.0
S
11
R
max.
= 1
+90
°
+135
°
+45
°
±
180
°
0
–135
°
–90
°
–45
°
S
12
R
max.
= 0.1
+90
°
+135
°
+45
°
±
180
°
0
°
–135
°
–90
°
–45
°
S
21
16 GHz
0.5
1.0
2.0
1.0
0.5
2.0
0
–0.5
–1.0
–2.0
S
22
R
max.
= 1
2 GHz
2 GHz
0.5
1.0
2.0
R
max.
= 5
2 GHz
16 GHz
16 GHz
2 GHz
16 GHz
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PDF描述
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NE960R275 0.2 W X, Ku-BAND POWER GaAs MES FET
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NE97733-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 PNP High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE97733-T1 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans GP BJT PNP 12V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R