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參數資料
| 型號： | NE8500200-WB |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | 2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| 中文描述： | 2瓦C波段砷化鎵場效應管N溝道砷化鎵場效應晶體管 |
| 文件頁數： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | NE8500200-WB |
NE85002 SERIES
2
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C)
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Gate to Drain Voltage
Total Power Disipation(*)
Drain Current
Gate Current
Channel Temperature
Storage Temperature
V
DSX
V
GSX
V
GDX
P
T
I
D
I
G
T
ch
T
stg
15
–12
–18
13
2.5
13
175
V
V
V
W
A
mA
C
C
*T
C
= 25 C
–65 to 175
RECOMMENDING OPERATION RANDGE
CHARACTERISTIC
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Drain to Source Voltage
V
DS
9
–
10
V
Channel Temperature
T
ch
–
–
130
C
Input Power
Gcomp
–
–
3
dBcomp
Gate Resistance
Rg
–
–
2
k
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
TEST CONDITIONS
Saturated Drain Current
Idss
950
–
1900
mA
Vds = 2.5 V, Vgs = 0 V
Pinch-off Voltage
V
P
–3.0
–
–1.0
V
Vds = 2.5 V, Ids = 8 mA
Transconductance
gm
–
600
–
mS
Vds = 2.5 V, Ids = Idss
Thermal Resistance
R
th
–
10
15
C/W
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE85002 | 2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE8500200 | 2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE8500200-RG | 2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE8500295-4 | 2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE8500295-6 | 2 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| NE8500295-4 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 2W C Band MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數: 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體: |
| NE8500295-6 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 2W C Band MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數: 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體: |
| NE8500295-8 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 2W C Band MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數: 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體: |
| NE850R599A | 功能描述:射頻GaAs晶體管 0.5W C-Band MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數: 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體: |
| NE851M03 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Low Volt Osc RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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