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參數(shù)資料
| 型號： | NE76084 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET |
| 中文描述： | C到Ku波段低噪聲放大器N溝道砷化鎵場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 62K |
| 代理商： | NE76084 |
NE76084
2
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
Gain Calculations
|S
21
|
|S
12
|
1 + |
|
2
– |S
11
|
2
– |S
22
|
2
2 |S
12
| |S
21
|
MSG. =
K =
|S
21
|
|S
12
|
MAG. =
(K
±
K
2
– 1)
= S
11
·S
22
– S
21
·S
12
0
50
100
150
200
300
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
P
t
-
T
A
-Ambient Temperature-
°
C
200
100
0
50
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
I
D
-
V
DS
-Drain to Source Voltage-V
40
30
20
10
5
V
GS
= 0 V
4
3
2
1
–0.2 V
–0.4 V
–0.6 V
–2.0
50
DRAIN CURRENT vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
I
D
-
V
GS
-Gate to Source Voltage-V
40
30
20
10
0
–1.0
0
V
DS
= 3 V
24
TYPICAL GAIN vs. FREQUENCY
16
12
8
0
2
4
6
10
20
8
1
V
DS
= 3 V
I
D
= 10 mA
MSG.
S21s
2
MAG.
M
M
S
2
-
f-Frequency-GHz
20
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE76084-SL | C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE76084-T1 | C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE76084-T1A | C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE8500100-WB | 1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE85001 | 1 W C-BAND POWER GaAs FET N-CHANNEL GaAs MES FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE76084S | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:LOW NOISE L TO Ku BAND GaAs MESFET |
| NE76084-SL | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE76084-T1 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE76084-T1A | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C to Ku BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE76100 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:GENERAL PURPOSE GaAs MESFET |
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