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參數(shù)資料
| 型號： | NE721S01-T1 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | GENERAL PURPOSE L TO X-BAND GaAs MESFET |
| 中文描述： | 一般目的L至X波段GaAs MESFET器件 |
| 文件頁數(shù)： | 5/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 32K |
| 代理商： | NE721S01-T1 |
EXCLUSIVE NORTH AMERICAN AGENT FOR RF, MICROWAVE & OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTORS
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES
Headquarters 4590 Patrick Henry Drive Santa Clara, CA 95054-1817 (408) 988-3500 Telex 34-6393 FAX (408) 988-0279
24-Hour Fax-On-Demand: 800-390-3232 (U.S. and Canada only) Internet: http://WWW.CEL.COM
DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE
PRINTED IN USA ON RECYCLED PAPER -9/98
Parameters
VTO
VTOSC
ALPHA
BETA
GAMMA
GAMMADC
Q1
Parameters
RG
RD
RS
RGMET
KF
AF
TNOM
XTI
EG
VTOTC
BETATCE
FFE
Q1
7
6
4
0
-1.699
0
2.5
0.0254
0.09
0.09
1.95
1.1
0.8
1e-14
1.2
0
0
6e-12
0.18e-12
5000
1e-10
0.7e-12
0.055e-12
1.2
1
0.5
Infinity
1.36e-10
1.74
27
3
1.43
0
0
1
Q
DELTA
VBI
IS
N
RIS
RID
TAU
CDS
RDB
CBS
CGSO
CGDO
DELTA1
DELTA2
FC
VBR
Parameter
time
capacitance
inductance
resistance
voltage
current
Units
seconds
farads
henries
ohms
volts
amps
FET NONLINEAR MODEL PARAMETERS
(1)
UNITS
MODEL RANGE
Frequency:
Bias:
Date:
0.1 to 18 GHz
V
DS
= 2 V to 4 V, I
D
= 20 mA to 40 mA
7/97
NE721S01 NONLINEAR MODEL
SCHEMATIC
(1) Series IV Libra TOM Model
CGD_PKG
0.001pF
Rsx
0.06 ohms
Lgx
CDS_PKG
0.06PF
CGS_PKG
0.055pF
Rdx
0.06 ohms
Lsx
0.1nH
SOURCE
DRAIN
Rgx
0.06 ohms
GATE
0.71nH
Ldx
0.58nH
Q1
NE721S01
Note:
This nonlinear model utilized the latest data available. See our Design Parameter Library at
www.cel.com
for this data.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE721S01-T1B | GENERAL PURPOSE L TO X-BAND GaAs MESFET |
| NE76038 | LOW NOISE L TO Ku-BAND GaAs MESFET |
| NE76038-T1 | LOW NOISE L TO Ku-BAND GaAs MESFET |
| NE76084S | LOW NOISE L TO Ku BAND GaAs MESFET |
| NE76100 | ACB 5C 5#16S PIN PLUG |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE721S01-T1B | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:GENERAL PURPOSE L TO X-BAND GaAs MESFET |
| NE72218 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 RO 551-NE34018 5/04 RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
| NE72218-T1 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE72218-T2 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C to X BAND AMPLIFIER C to X BAND OSC N-CHANNEL GaAs MES FET |
| NE722S01 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 C-X Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: |
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