參數(shù)資料
型號： NE699M01
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
中文描述： npn型外延硅晶體管的微波高增益放大
文件頁數(shù)： 6/6頁
文件大小： 50K
代理商： NE699M01
NE699M01
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
NE699M01
V
CE
= 2 V, I
C
= 7 mA
FREQUENCY
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
(GHz)
0.100
0.250
0.400
0.600
0.800
1.000
1.200
1.400
1.600
1.800
2.000
2.500
3.000
3.500
4.000
4.500
5.000
MAG
0.792
0.743
0.658
0.552
0.471
0.421
0.397
0.389
0.393
0.403
0.418
0.460
0.495
0.525
0.549
0.569
0.589
ANG
-14.7
-37.2
-58.5
-83.5
-105.7
-125.7
-143.6
-158.8
-171.3
178.2
170.0
155.6
146.2
138.5
131.2
122.8
113.1
MAG
17.256
15.479
14.101
12.010
10.130
8.616
7.432
6.493
5.738
5.137
4.634
3.710
3.086
2.630
2.287
2.015
1.790
ANG
164.9
149.9
135.4
119.6
107.1
97.0
88.4
81.0
74.5
68.4
62.8
50.2
38.9
28.4
18.3
8.7
-0.7
MAG
0.012
0.027
0.038
0.048
0.054
0.058
0.061
0.063
0.065
0.067
0.070
0.077
0.087
0.099
0.114
0.131
0.150
ANG
78.8
67.6
57.9
48.8
43.0
39.5
37.5
36.7
36.5
37.0
37.6
40.2
42.5
43.9
44.0
42.8
40.5
MAG
0.939
0.882
0.794
0.683
0.593
0.525
0.476
0.440
0.415
0.397
0.386
0.378
0.393
0.423
0.462
0.505
0.549
ANG
-10.3
-24.0
-35.7
-47.5
-56.4
-63.4
-69.4
-74.9
-80.1
-85.5
-90.7
-104.1
-117.0
-128.4
-138.0
-145.7
-152.0
(dB)
31.6
27.6
25.7
24.0
22.8
21.7
20.9
20.1
19.5
17.6
16.3
14.2
12.8
11.8
11.2
11.4
10.8
0.23
0.23
0.31
0.43
0.55
0.67
0.77
0.87
0.96
1.04
1.10
1.19
1.21
1.17
1.09
1.01
0.92
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
Note:
1. Gain Calculation:
MAG =
|S
21
|
|S
12
|
K - 1
).
(
K
±
= S
11
S
22
- S
21
S
12
,
When K
≤
1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S
21
|
|S
12
|
, K =
1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
2 |S
12
S
21
|
2
EXCLUSIVE NORTH AMERICAN AGENT FOR RF, MICROWAVE & OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTORS
CALIFORNIA EASTERN LABORATORIES
Headquarters 4590 Patrick Henry Drive Santa Clara, CA 95054-1817 (408) 988-3500 Telex 34-6393 FAX (408) 988-0279
24-Hour Fax-On-Demand: 800-390-3232 (U.S. and Canada only) Internet: http://WWW.CEL.COM
DATA SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE
PRINTED IN USA ON RECYCLED PAPER -12/98
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE699M01-T1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION
NE710 LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET
NE71000 LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET
NE71083-06 LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET
NE71083-07 LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE699M01-T1 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Hi Gain Amp RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE7 功能描述:CLAMP VINYL-DIPPED 7/16X3/8" RoHS:是 類別:線纜，導(dǎo)線 - 管理 >> 線夾和夾具 系列:NE 標準包裝:100 系列:TC 類型:C-夾 開口尺寸:0.79" L x 0.54" W x 0.67" H（20.1mm x 13.7mm x 17.0mm） 安裝類型:釘子 材質(zhì):聚丙烯 顏色:黑
NE-7 制造商:Richco 功能描述:
NE710 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET
NE71-0.2 制造商:SIPAT 制造商全稱:SIPAT 功能描述:GSM Repeater
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