型號(hào): | NE699M01 |
廠商: | NEC Corp. |
英文描述: | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION |
中文描述: | npn型外延硅晶體管的微波高增益放大 |
文件頁(yè)數(shù): | 2/6頁(yè) |
文件大?。?/td> | 50K |
代理商: | NE699M01 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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NE699M01-T1 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE HIGH-GAIN AMPLIFICATION |
NE710 | LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET |
NE71000 | LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET |
NE71083-06 | LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET |
NE71083-07 | LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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NE699M01-T1 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Hi Gain Amp RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
NE7 | 功能描述:CLAMP VINYL-DIPPED 7/16X3/8" RoHS:是 類(lèi)別:線纜,導(dǎo)線 - 管理 >> 線夾和夾具 系列:NE 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:TC 類(lèi)型:C-夾 開(kāi)口尺寸:0.79" L x 0.54" W x 0.67" H(20.1mm x 13.7mm x 17.0mm) 安裝類(lèi)型:釘子 材質(zhì):聚丙烯 顏色:黑 |
NE-7 | 制造商:Richco 功能描述: |
NE710 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:LOW NOISE Ku-K BAND GaAs MESFET |
NE71-0.2 | 制造商:SIPAT 制造商全稱:SIPAT 功能描述:GSM Repeater |