參數(shù)資料
型號： NE68839-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 表面貼裝NPN硅高頻晶體管
文件頁數(shù)： 3/19頁
文件大?。?/td> 231K
代理商： NE68839-T1
NE688 SERIES
D
F
Collector Current, I
C
(mA)
8
6
4
2
0
1
2
5
10
20
50
100
V
CE
= 1 V
V
CE
= 3 V
f = 2 GHz
I
2
|
2
Collector Current, I
C
(mA)
f = 2 GHz
5
4
3
2
1
0
1
2
5
10
20
50
100
V
CE
= 1 V
V
CE
= 3 V
N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(TA = 25
°
C)
NE68833
NOISE FIGURE vs. COLLECTOR CURRENT
NE68833
INSERTION GAIN vs. COLLECTOR CURRENT
200
100
0
0.1 0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
V
CE
= 1 V
D.C. CURRENT GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
Collector Current, I
C
(mA)
G
T
f = 2 GHz
10
8
6
4
2
0
1
2
5
10
20
50
100
V
CE
= 1 V
V
CE
= 3 V
NE68839
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
Collector Current, I
C
(mA)
V
CE
= 1 V
0
0.5
1
100
50
20
2
0.5
1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
10
5
C
C
(
COLLECTOR CURRENT vs.
BASE TO EMITTER VOLTAGE
Base to Emitter Voltage, V
BE
(V)
F
R
Collector to Base Voltage, V
CB
(V)
1.0
0.5
0.1
1
5
10
20
f = 1 MHz
NE68830
FEED-BACK CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE68839R-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE688M13 NPN SILICON TRANSISTOR
NE688M03 NPN SILICON TRANSISTOR
NE688M23 NPN SILICON TRANSISTOR
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參數(shù)描述
NE68839-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE688M03 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR
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NE688M03-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Low Noise RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE688M13 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR
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