參數(shù)資料
型號: NE68830-T1
廠商: NEC Corp.
英文描述: SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述: 表面貼裝NPN硅高頻晶體管
文件頁數(shù): 7/19頁
文件大小: 231K
代理商: NE68830-T1
NE68830
V
CE
= 3.0 V, I
C
= 20 mA
FREQUENCY
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
GHz
0.1
0.4
0.8
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
4.0
5.0
MAG
0.472
0.313
0.289
0.285
0.283
0.280
0.278
0.271
0.285
0.365
ANG
-66.200
-143.700
-171.000
-179.400
165.900
153.300
143.200
131.700
114.200
103.100
MAG
29.896
10.607
5.532
4.472
3.076
2.400
2.003
1.747
1.440
1.272
ANG
MAG
ANG
69.600
67.800
70.700
70.500
68.100
64.400
60.300
55.800
45.900
35.300
MAG
ANG
(dB)
V
CE
= 5.0 V, I
C
= 10 mA
0.1
0.4
0.8
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
4.0
5.0
TYPICAL SCATTERING PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
NE688 SERIES
134.700
97.700
83.500
78.800
68.600
59.900
51.900
44.400
31.100
18.100
0.024
0.061
0.110
0.135
0.196
0.256
0.314
0.371
0.473
0.553
0.707
0.276
0.173
0.154
0.134
0.129
0.132
0.138
0.134
0.124
-41.100
-66.500
-70.800
-72.100
-75.600
-79.500
-83.700
-89.700
-110.400
-169.400
0.408
0.884
0.994
1.012
1.025
1.022
1.013
1.006
0.992
0.981
30.954
22.403
17.015
14.543
10.998
8.816
7.348
6.272
4.835
3.618
0.656
0.380
0.311
0.299
0.291
0.289
0.289
0.285
0.307
0.385
-44.300
-119.100
-155.500
-166.800
173.200
157.500
145.100
131.600
110.900
98.500
22.050
9.847
5.283
4.287
2.964
2.315
1.932
1.686
1.388
1.225
146.100
104.200
86.600
81.100
69.500
60.200
51.600
43.900
30.500
17.800
0.029
0.067
0.107
0.129
0.183
0.239
0.294
0.349
0.453
0.543
70.900
59.500
64.100
65.200
65.300
63.500
60.600
57.000
48.400
38.300
0.835
0.400
0.258
0.232
0.204
0.197
0.201
0.207
0.205
0.173
-29.100
-57.400
-62.400
-63.600
-67.100
-71.700
-76.800
-83.200
-100.900
-142.100
0.264
0.732
0.949
0.989
1.028
1.028
1.016
1.006
0.982
0.965
28.810
21.672
16.935
15.216
11.073
8.840
7.393
6.382
4.863
3.533
Note:
1.Gain Calculations:
|S
21
|
|S
12
|
MAG = Maximum Available Gain
MSG = Maximum Stable Gain
MAG =
K - 1
).
(
K
±
= S
11
S
22
- S
21
S
12
,
When K
1, MAG is undefined and MSG values are used. MSG =
|S
21
|
|S
12
|
, K =
1 + |
| - |S
11
| - |S
22
|
2 |S
12
S
21
|
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE68833-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68839-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68839R-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE688M13 NPN SILICON TRANSISTOR
NE688M03 NPN SILICON TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE68830-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68833 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68833-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68833-T1 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68833-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel