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參數(shù)資料
| 型號： | NE68718-T1 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| 中文描述： | 表面貼裝NPN硅高頻晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 20/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 196K |
| 代理商： | NE68718-T1 |
OUTLINE DIMENSIONS
1
(Units in mm)
PACKAGE OUTLINE 18
(SOT-343)
OUTLINE 18
RECOMMENDED P.C.B. LAYOUT
PACKAGE OUTLINE 19
LEAD CONNECTIONS
1. Emitter
2. Base
3. Collector
LEAD CONNECTIONS
1. Emitter
2. Base
3. Collector
OUTLINE 30
RECOMMENDED P.C.B. LAYOUT
OUTLINE 19
RECOMMENDED P.C.B. LAYOUT
PACKAGE OUTLINE 30
(SOT-323)
LEAD CONNECTIONS
1. Collector
2. Emitter
3. Base
4. Emitter
NE687 SERIES
2.1
±
0.2
1.25
±
0.1
1
2
3
0.3
(L -0.05
0.3
0.9
±
0.1
0 to 0.1
0.15 -0.05
2.0
±
0.2
4
0.4
+0.10
1.3
+0.10
0.65
0.65
0.60
0.65
0.6
4
0.8
3
1.7
2
1.25
1
1.6
±
0.1
0.8
±
0.1
1
2
3
0.3 -0.05
LEAD 3 ONLY
0.2 0
-
1.0
0.6
0.75
±
0.05
0 to 0.1
0.15 -0.05
1.6
±
0.1
0.5
1.3
3
2
1.0
0.5
0.6
1
0.6
0.3 -0.05
(ALL LEADS)
2.1
±
0.2
1.25
±
0.1
1
2
3
0.15
0.9
±
0.1
0 to 0.1
0.15 -0.05
2.0
±
0.2
0.65
1.3
MARKING
1.7
3
2
1.3
0.65
0.8
1
0.6
PACKAGE OUTLINE 33
(SOT-23)
OUTLINE 33
RECOMMENDED P.C.B. LAYOUT
LEAD
CONNECTIONS
1. Emitter
2. Base
3. Collector
0.16 -0.06
0.65 -0.15
0.4 -0.05
(ALL LEADS)
1
2
3
0 to 0.1
2.8
1.9
1.5
0.8
1.1 to 1.4
2.9
±
0.2 0.95
+0.2
-0.3
+0.2
-0.1
2.4
3
2
1.9
0.95
1.0
1
0.8
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE68719 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68719-T1 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68730 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68730-T1 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68733 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE68718-T1-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68719 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 USE 551-NE68719-A RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68719-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68719-T1 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68719-T1-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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