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參數(shù)資料
| 型號： | NE68718-T1 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| 中文描述： | 表面貼裝NPN硅高頻晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 16/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 196K |
| 代理商： | NE68718-T1 |
NE687 SERIES
NE68718 NONLINEAR MODEL
MODEL RANGE
Frequency: 0.05 to 5.0 GHz
Bias: V
CE
= 1 V to 2 V, I
C
= 1 mA to 10 mA
UNITS
Parameters
C
CB
C
CE
L
B
L
C
L
E
C
CBPKG
C
CEPKG
C
BEPKG
L
BX
L
CX
L
EX
68718
0.26e-12
0.19e-12
1.51e-9
1.18e-9
0.71e-9
0.063e-12
0.409e-12
0.361e-12
0.18e-9
0.18e-9
0.09e-9
ADDITIONAL PARAMETERS
(1) Gummel-Poon Model
Parameters
Q1
Parameters
Q1
IS
BF
NF
VAF
IKF
ISE
NE
BR
NR
VAR
IKR
ISC
NC
RE
RB
RBM
IRB
RC
CJE
VJE
MJE
CJC
VJC
8.0e-17
128
1.0
17
0.18
3.3e-15
1.48
9.05
1.05
4.3
0.009
4.0e-15
1.5
0.8
11.1
2.46
0.017
7.5
0.415e-12
0.68
0.53
0.102e-12
0.29
MJC
XCJC
CJS
VJS
MJS
FC
TF
XTF
VTF
ITF
PTF
TR
EG
XTB
XTI
KF
AF
0.53
0.27
0
0.75
0
0.37
6.0e-12
11.9
9.55
1.78
69.1
1.0e-9
1.11
0
3
0
1
BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS
(1)
Parameter
time
capacitance
inductance
resistance
voltage
current
Units
seconds
farads
henries
ohms
volts
amps
Base
Emitter
Collector
L
BX
L
B
L
EX
L
E
L
C
L
CX
C
CBPKG
C
CB
C
CE
C
CEPKG
C
BEPKG
Q1
SCHEMATIC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE68719 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68719-T1 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68730 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68730-T1 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68733 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE68718-T1-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68719 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 USE 551-NE68719-A RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68719-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68719-T1 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68719-T1-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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