參數(shù)資料
型號： NE685M23
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON TRANSISTOR
中文描述： NPN硅晶體管
文件頁數(shù)： 4/17頁
文件大?。?/td> 176K
代理商： NE685M23
NE68518, NE68530
D.C. POWER DERATING CURVE
200
180
100
0
0
50
100
150
INFINITE
HEAT SINK
FREE AIR
114
Ambient Temperature, T
A
(C
°
)
T
T
200
180
100
0
0
100
150
125
50
50
150
114
FREE AIR
INFINITE
HEAT SINK
Ambient Temperature, T
A
(C
°
)
T
T
NE68519
D.C. POWER DERATING CURVE
1 2 5 10 20 50
5
4
3
2
1
0
V
CE
= 3 V
f = 2 GHz
V
CE
= 3 V
I
C
= 10 mA
MAG
|S
21E
|
2
0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0
50
40
30
20
10
0
38.4 114
0 50 100 150
0
100
180
200
FREE AIR
INFINITE
HEAT SINK
T
T
N
F
(
Frequency, f (GHz)
NE68533, NE68539
D.C. POWER DERATING CURVE
1 2 5 10 20 50
0
2
4
6
8
10
12
V
CE
= 3 V
f = 2 GHz
INSERTION GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
Collector Current, I
C
(mA)
Ambient Temperature, T
A
(
°
C)
I
E
|
2
Collector Current, I
C
(mA)
I
E
|
2
(
M
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(TA = 25
°
C)
NOISE FIGURE
vs. COLLECTOR CURRENT
FORWARD INSERTION GAIN
AND MAXIMUM AVAILABLE GAIN
vs. FREQUENCY
NE685 SERIES
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PDF描述
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