參數(shù)資料
型號(hào)： NE685M23
廠商： NEC Corp.
英文描述： NPN SILICON TRANSISTOR
中文描述： NPN硅晶體管
文件頁數(shù)： 10/17頁
文件大?。?/td> 176K
代理商： NE685M23
NE685 SERIES
Parameter
time
capacitance
inductance
resistance
voltage
current
Units
seconds
farads
henries
ohms
volts
amps
Parameters
C
CB
C
CE
L
B
L
C
L
E
C
CBPKG
C
CEPKG
C
BEPKG
L
BX
L
CX
L
EX
NE68518
0.13e-12
0.14e-12
1.55e-9
1.25e-9
0.94e-9
0.066e-12
0.44e-12
0.36e-12
0.18e-9
0.18e-9
0.09e-9
NE68518 NONLINEAR MODEL
ADDITIONAL PARAMETERS
UNITS
MODEL RANGE
Frequency:
Bias:
0.05 to 3.0 GHz
V
CE
= 0.5 V to 3.0 V, I
C
= 0.5 mA to 20 mA
SCHEMATIC
(1) Gummel-Poon Model
BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS
(1)
Parameters
Q1
Parameters
Q1
IS
BF
NF
VAF
IKF
ISE
NE
BR
NR
VAR
IKR
ISC
NC
RE
RB
RBM
IRB
RC
CJE
VJE
MJE
CJC
VJC
7e-16
109
1
15
0.19
7.9e-13
2.19
1
1.08
12.4
Infinity
0
2
1.3
10
8.34
0.009
10
0.4e-12
0.81
0.5
0.18e-12
0.75
MJC
XCJC
CJS
VJS
MJS
FC
TF
XTF
VTF
ITF
PTF
TR
EG
XTB
XTI
KF
AF
0.34
0
0
0.75
0
0.5
2e-12
5.2
4.58
0.011
0
1e-9
1.11
0
3
0
1
Base
Emitter
Collector
L
BX
L
B
L
EX
L
E
L
C
L
CX
C
CBPKG
C
CB
C
CE
C
CEPKG
C
BEPKG
Q1
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PDF描述
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