- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄361113 > NE685M13-T3 (Electronic Theatre Controls, Inc.) NECs NPN SILICON TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | NE685M13-T3 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | NECs NPN SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 鄰舍NPN硅晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 11/17頁 |
| 文件大?。?/td> | 176K |
| 代理商： | NE685M13-T3 |
NE685 SERIES
NE68519 NONLINEAR MODEL
MODEL RANGE
Frequency:
Bias:
0.05 to 3.0 GHz
V
CE
= 0.5 V to 3.0 V, I
C
= 0.5 mA to 20 mA
Parameters
C
CB
C
CE
L
B
L
E
C
CBPKG
C
CEPKG
L
BX
L
CX
L
EX
68519
0.13e-12
0.14e-12
0.9e-9
0.9e-9
0.17e-12
0.21e-12
0.19e-9
0.19e-9
0.19e-9
ADDITIONAL PARAMETERS
Parameter
time
capacitance
inductance
resistance
voltage
current
Units
seconds
farads
henries
ohms
volts
amps
UNITS
(1) Gummel-Poon Model
BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS
(1)
SCHEMATIC
Parameters
Q1
Parameters
Q1
IS
BF
NF
VAF
IKF
ISE
NE
BR
NR
VAR
IKR
ISC
NC
RE
RB
RBM
IRB
RC
CJE
VJE
MJE
CJC
VJC
7.0e-16
109
1
15
0.19
7.90e-13
2.19
1
1.08
12.4
Infinity
0
2
1.3
10
8.34
0.009
10
0.4e-12
0.81
0.5
0.18e-12
0.75
MJC
XCJC
CJS
VJS
MJS
FC
TF
XTF
VTF
ITF
PTF
TR
EG
XTB
XTI
KF
AF
0.34
0
0
0.75
0
0.5
2.0e-12
5.2
4.58
0.011
0
1.0e-9
1.11
0
3
0
1
Base
Emitter
Collector
L
BX
L
B
L
EX
L
E
L
CX
C
CBPKG
C
CB
C
CE
C
CEPKG
Q1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE687 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68718 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68718-T1 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68719 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68719-T1 | SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE685M13-T3-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Lo Noise Hi Gain RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE685M23 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR |
| NE685M33 | 制造商:CEL 制造商全稱:CEL 功能描述:NECs NPN SILICON TRANSISTOR |
| NE685M33-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE685M33-T3-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon Amp Oscillatr Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。