參數資料
型號： NE68135
廠商： NEC Corp.
英文描述： NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 鄰舍NPN硅高頻晶體管
文件頁數： 7/20頁
文件大小： 218K
代理商： NE68135
TYPICAL COMMON EMITTER SCATTERING PARAMETERS
j50
Coordinates in Ohms
Frequency in GHz
(V
CE
= 2.5 V, I
C
= 3 mA)
NE68119
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 0.3 mA
FREQUENCY
50
0.995
0.992
0.981
0.967
0.950
0.929
0.915
0.892
0.874
0.853
0.838
0.770
0.723
0.693
-6.1
-11.9
-23.5
-35.3
-46.1
-57.0
-67.0
-77.0
-86.0
-94.5
-102.9
-139.2
-170.6
132.2
1.283
1.081
1.038
1.021
0.985
0.952
0.936
0.888
0.869
0.808
0.784
0.652
0.564
0.441
174.1
170.4
158.4
149.2
139.2
130.0
121.0
112.7
105.0
97.2
90.6
61.2
39.0
9.0
0.017
0.027
0.052
0.078
0.096
0.114
0.130
0.144
0.153
0.160
0.165
0.169
0.146
0.085
88.1
80.9
74.0
65.0
58.4
52.4
44.5
38.5
32.7
27.3
21.8
1.6
-12.7
6.0
0.997
0.995
0.991
0.989
0.979
0.962
0.948
0.937
0.928
0.916
0.908
0.869
0.842
0.803
-1.1
-4.5
-9.3
-14.3
-18.2
-22.5
-26.4
-30.1
-33.9
-37.1
-40.5
-54.5
-66.5
-91.2
0.02
0.06
0.11
0.15
0.20
0.23
0.30
0.33
0.36
0.42
0.45
0.66
0.95
1.98
18.8
16.0
13.0
11.2
10.1
9.2
8.6
7.9
7.5
7.0
6.8
5.9
5.9
1.5
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1500
2000
3000
50
0.937
0.904
0.839
0.771
0.699
0.642
0.598
0.564
0.534
0.511
0.494
0.438
0.409
0.410
-13.0
-22.9
-44.6
-63.4
-79.9
-93.8
-106.0
-116.4
-125.9
-134.1
-141.6
-172.6
162.4
117.0
10.816
9.618
8.856
7.858
6.982
6.172
5.458
4.898
4.429
4.032
3.696
2.618
2.042
1.474
167.8
161.4
145.9
133.0
121.6
112.2
104.1
97.3
91.1
85.5
80.6
59.5
41.8
11.1
0.014
0.023
0.044
0.061
0.071
0.080
0.086
0.089
0.093
0.095
0.099
0.113
0.130
0.187
85.2
76.5
65.5
55.3
48.3
42.4
38.7
36.7
34.0
33.3
32.1
29.1
28.7
24.2
0.970
0.955
0.907
0.830
0.761
0.699
0.651
0.613
0.587
0.565
0.549
0.508
0.485
0.448
-5.3
-12.0
-21.5
-29.5
-35.9
-39.7
-43.3
-46.0
-48.2
-50.1
-52.3
-59.9
-67.6
-85.5
0.08
0.10
0.16
0.25
0.32
0.41
0.48
0.55
0.62
0.69
0.74
0.99
1.15
1.16
28.9
26.2
23.0
21.1
19.9
18.9
18.0
17.4
16.8
16.3
15.7
13.6
9.6
6.5
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1500
2000
3000
50
0.979
0.965
0.944
0.915
0.877
0.836
0.802
0.770
0.741
0.714
0.694
0.616
0.572
0.555
-8.4
-15.9
-30.0
-44.6
-57.8
-70.1
-81.8
-92.3
-102.0
-110.7
-118.7
-153.7
177.3
125.5
4.317
3.510
3.384
3.234
3.069
2.855
2.671
2.502
2.341
2.195
2.041
1.547
1.255
0.940
172.8
166.3
155.6
145.3
134.8
125.6
116.9
109.0
102.0
95.1
89.4
63.8
43.4
10.4
0.016
0.026
0.049
0.069
0.090
0.104
0.115
0.122
0.127
0.133
0.135
0.132
0.124
0.132
87.7
77.4
71.9
60.3
54.9
45.7
40.8
34.6
29.9
25.9
21.6
9.1
6.7
20.2
0.990
0.986
0.971
0.949
0.918
0.883
0.850
0.822
0.798
0.778
0.762
0.706
0.672
0.627
-1.3
-7.5
-13.0
-19.4
-24.6
-29.1
-33.4
-37.2
-40.6
-43.4
-46.4
-58.1
-68.2
-89.7
0.04
0.10
0.09
0.15
0.17
0.25
0.28
0.33
0.38
0.43
0.48
0.75
1.07
1.41
24.3
21.3
18.4
16.7
15.3
14.4
13.7
13.1
12.7
12.2
11.8
10.7
8.4
4.7
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1500
2000
3000
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
(MHz)
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
(dB)
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 1.0 mA
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 3 mA
NE681 SERIES
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j25
j10
0
-j10
-j25
-j50
-j100
j100
0
10
25
50
100
S
11
5 GHz
S
11
0.05 GHz
S
22
0.05 GHz
S
22
5 GHz
120
90
60
30
150
180
-150
-120
-90
-60
-30
0
10
8
6
4
0.5
0.3
0.2
S
12
0.5 GHz
S
21
5 GHz
S
21
S
21
0.5 GHz
S
12
5 GHz
相關PDF資料
PDF描述
NE68139-T1 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68139R-T1 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE681M23 NPN SILICON TRANSISTOR
NE68519 NONLINEAR MODEL
NE68639-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
NE68137 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 65MA I(C) | MACRO-X
NE68139 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68139-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68139R 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 USE 551-NE68139-A RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68139R-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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