參數(shù)資料
型號： NE68118-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 鄰舍NPN硅高頻晶體管
文件頁數(shù)： 7/20頁
文件大?。?/td> 218K
代理商： NE68118-T1
TYPICAL COMMON EMITTER SCATTERING PARAMETERS
j50
Coordinates in Ohms
Frequency in GHz
(V
CE
= 2.5 V, I
C
= 3 mA)
NE68119
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 0.3 mA
FREQUENCY
50
0.995
0.992
0.981
0.967
0.950
0.929
0.915
0.892
0.874
0.853
0.838
0.770
0.723
0.693
-6.1
-11.9
-23.5
-35.3
-46.1
-57.0
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-77.0
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-139.2
-170.6
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174.1
170.4
158.4
149.2
139.2
130.0
121.0
112.7
105.0
97.2
90.6
61.2
39.0
9.0
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88.1
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65.0
58.4
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18.8
16.0
13.0
11.2
10.1
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7.5
7.0
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5.9
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50
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7.858
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161.4
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133.0
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112.2
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0.095
0.099
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0.130
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55.3
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42.4
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36.7
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33.3
32.1
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28.7
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0.955
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-12.0
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-29.5
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-50.1
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-59.9
-67.6
-85.5
0.08
0.10
0.16
0.25
0.32
0.41
0.48
0.55
0.62
0.69
0.74
0.99
1.15
1.16
28.9
26.2
23.0
21.1
19.9
18.9
18.0
17.4
16.8
16.3
15.7
13.6
9.6
6.5
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1500
2000
3000
50
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0.555
-8.4
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-44.6
-57.8
-70.1
-81.8
-92.3
-102.0
-110.7
-118.7
-153.7
177.3
125.5
4.317
3.510
3.384
3.234
3.069
2.855
2.671
2.502
2.341
2.195
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125.6
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102.0
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0.124
0.132
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20.2
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1500
2000
3000
S
11
S
21
S
12
S
22
K
MAG
1
(MHz)
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
MAG
ANG
(dB)
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 1.0 mA
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 3 mA
NE681 SERIES
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j25
j10
0
-j10
-j25
-j50
-j100
j100
0
10
25
50
100
S
11
5 GHz
S
11
0.05 GHz
S
22
0.05 GHz
S
22
5 GHz
120
90
60
30
150
180
-150
-120
-90
-60
-30
0
10
8
6
4
0.5
0.3
0.2
S
12
0.5 GHz
S
21
5 GHz
S
21
S
21
0.5 GHz
S
12
5 GHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE68119-T1 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68130-T1 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68133-T1B NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68135 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68139-T1 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE68118-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68119 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68119-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68119-T1 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68119T1A 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 10V 0.065A 3-Pin Ultra Super Mini-Mold T/R 制造商:California Eastern Laboratories 功能描述:Trans GP BJT NPN 10V 0.065A 3-Pin Ultra Super Mini-Mold T/R
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