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參數(shù)資料
| 型號： | NE68118-T1 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| 中文描述： | 鄰舍NPN硅高頻晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 218K |
| 代理商： | NE68118-T1 |
NE681 SERIES
FREQ.
(MHz)
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
500
1.21
12.45
0.75
47
1.15
800
1.69
7.72
0.74
72
0.97
1000
1500
1.95
2.52
5.96
3.12
0.68
0.63
88
122
0.71
0.34
NE68133
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 1.0 mA
500
.92
14.52
0.68
47
0.42
800
1000
1500
2000
1.20
1.35
1.71
2.00
10.57
9.29
6.53
5.53
0.63
0.57
0.50
0.44
70
87
120
168
0.34
0.30
0.17
0.11
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 3 mA
500
0.86
16.37
0.54
47
0.24
800
1000
1500
2000
1.00
1.08
1.25
1.40
12.41
11.07
8.61
6.99
0.51
0.46
0.36
0.35
67
86
128
172
0.20
0.18
0.12
0.10
FREQ.
(MHz)
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
500
1.20
14.10
0.78
47
1.28
800
1000
1.45
1.67
8.42
8.37
0.75
0.68
72
95
0.84
0.56
NE68139
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 1 mA
500
0.90
15.71
0.63
44
0.43
800
1000
1500
2000
1.10
1.26
1.70
2.20
12.30
11.66
8.85
7.12
0.56
0.53
0.49
0.57
72
98
145
178
0.26
0.20
0.12
0.07
V
CE
= 8 V, I
C
= 7 mA
500
1000
1500
2000
3000
4000
1.15
1.25
1.4
1.6
2.15
3.0
20.50
15.62
12.49
10.48
8.00
6.81
0.26
0.16
0.20
0.31
0.53
0.71
42
133
176
-165
-123
-101
0.17
0.14
0.09
0.14
0.48
0.90
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 3 mA
500
0.88
18.20
0.45
44
0.25
800
1000
1500
2000
1.00
1.08
1.30
1.80
14.62
13.29
10.54
8.60
0.39
0.37
0.35
0.43
73
99
151
-177
0.19
0.16
0.09
0.07
V
CE
= 8 V
f = 2 GHz
f = 3 GHz
f = 4 GHz
12
10
8
6
4
2
0
1 2 3 5 7 10 20 30 50
I
2
|
2
Collector Current, I
C
(mA)
NE68100 & NE68135
INSERTION GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
Frequency, f (GHz)
V
CE
= 8 V
I
C
= 20 mA
NE68133
|S
21E
|
2
MAG
NE68100
NE68135
|S
21E
|
2
MAG
30
25
20
15
10
5
0
0.1 0.2 0.3 0.5 0.7 1 2 3 5 7 10
FORWARD INSERTION GAIN
AND MAXIMUM AVAILABLE GAIN
vs. FREQUENCY
I
2
|
2
M
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25
°
C)
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 0.3 mA
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 0.3 mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE68119-T1 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68130-T1 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68133-T1B | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68135 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68139-T1 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE68118-T1-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68119 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68119-A | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68119-T1 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68119T1A | 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 10V 0.065A 3-Pin Ultra Super Mini-Mold T/R 制造商:California Eastern Laboratories 功能描述:Trans GP BJT NPN 10V 0.065A 3-Pin Ultra Super Mini-Mold T/R |
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