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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NE680 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| 中文描述： | 鄰舍NPN硅高頻晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/19頁(yè) |
| 文件大小： | 246K |
| 代理商： | NE680 |
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NE680 SERIES
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(TA = 25
°
C)
V
CE
= 6 V
f = 4 GHz
f = 2 GHz
5
4
3
2
1
0
1 2 3 5 7 10 20
Collector Current, I
C
(mA)
V
CE
= 6 V
500
300
200
100
70
50
30
20
10
1 2 3 5 7 10 20 30 50
V
CE
= 6 V
f = 2 GHz
1 2 3 5 7 10 20
5
4
3
2
1
0
Collector Current, I
C
(mA)
Collector Current, I
C
(mA)
D
F
N
N
G
T
NE68035
NOISE FIGURE
vs. COLLECTOR CURRENT
NE68033
NOISE FIGURE vs. COLLECTOR
CURRENT
Collector to Base Voltage, V
CB
(V)
NE68033
NE68035
5
3
2
1
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
1 2 3 5 7 10 20 30 50
C
O
COLLECTOR TO BASE CAPACITANCE
vs. COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
V
CE
= 6 V
10
7
5
3
2
1
1 2 3 5 7 10 20
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
FORWARD CURRENT GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
Collector Current, I
C
(mA)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE68018-T1 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68019-T1 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68030-T1 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68033-T1B | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68039-T1 | NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE68000 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| NE68018 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68018-A | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68018-T1 | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| NE68018-T1-A | 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
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