參數(shù)資料
型號： NE68039R-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 鄰舍NPN硅高頻晶體管
文件頁數(shù)： 5/19頁
文件大?。?/td> 246K
代理商： NE68039R-T1
FREQ.
(MHz)
V
CE
= 3 V, I
C
= 5mA
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
500
800
1000
1500
2000
2500
3000
1.36
1.47
1.55
1.71
1.88
2.06
2.29
19.2
15.7
14.0
11.0
9.0
7.4
6.0
0.52
0.48
0.46
0.42
0.32
0.27
0.22
18
33
41
58
75
86
103
0.47
0.33
0.31
0.27
0.22
0.18
0.12
V
CE
= 6 V, I
C
= 5 mA
500
800
1000
1500
2000
2500
3000
1.36
1.47
1.55
1.71
1.88
2.06
2.29
19.44
15.86
14.16
11.15
9.49
7.89
6.74
0.56
0.54
0.52
0.48
0.36
0.30
0.24
16
30
39
58
77
88
103
0.50
0.36
0.33
0.30
0.27
0.23
0.17
FREQ.
(MHz)
V
CE
= 3 V, I
C
= 5 mA
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
500
1.45
20.74
0.46
22
0.41
800
1000
2000
3000
1.50
1.55
1.90
2.40
17.44
15.79
9.96
7.26
0.39
0.34
0.24
0.16
44
54
76
130
0.32
0.29
0.26
0.12
V
CE
= 6 V, I
C
= 5 mA
500
800
1000
2000
3000
1.5
1.6
1.6
2.1
2.4
21.20
17.50
15.63
10.20
7.49
.47
.38
.44
.32
.19
21
36
47
81
125
0.44
0.31
0.43
0.27
0.14
NE680 SERIES
NE68018
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
NE68019
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
NE68030
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
NE68033
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
NE68039
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
NE68035
TYPICAL NOISE PARAMETERS
(T
A
= 25
°
C)
FREQ.
(MHz)
V
CE
= 6 V, I
C
= 5 mA
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
1000
1.2
19.21
0.30
65
0.37
2000
4000
1.7
2.6
14.49
9.12
0.20
0.22
155
-128
0.30
0.33
FREQ.
(MHz)
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 3 mA
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
500
1.10
18.26
0.65
21
0.56
800
1000
1500
2000
1.20
1.27
1.43
1.64
14.56
13.26
9.80
7.76
0.60
0.52
0.47
0.39
32
43
48
53
0.42
0.39
0.36
0.32
V
CE
= 6 V, I
C
= 5 mA
500
1000
2000
3000
4000
1.35
1.45
1.70
2.10
2.55
19.25
14.20
9.18
6.60
5.22
0.60
0.45
0.22
0.11
0.18
17
33
42
-4
-63
0.60
0.48
0.45
0.40
0.47
FREQ.
(MHz)
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 3 mA
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
500
1.32
12.79
0.79
21
1.60
800
1000
1500
2000
1.48
1.58
1.82
2.12
12.59
11.35
5.87
3.48
0.72
0.69
0.64
0.59
40
52
64
78
1.43
1.08
0.92
0.75
V
CE
= 6 V, I
C
= 5 mA
1000
2000
3000
4000
1.52
1.76
2.25
2.92
16.93
10.70
7.56
5.82
0.46
0.37
0.36
0.35
126
-159
-132
-115
0.15
0.11
0.14
0.16
FREQ.
(MHz)
V
CE
= 2.5 V, I
C
= 3 mA
NF
OPT
(dB)
G
A
(dB)
Γ
OPT
MAG
ANG
Rn/50
500
1.14
19.29
0.54
18
0.41
800
1000
1500
2000
1.21
1.26
1.40
1.62
15.55
14.04
10.98
9.34
0.47
0.42
0.31
0.16
28
39
55
97
0.35
0.29
0.25
0.19
V
CE
= 6 V, I
C
= 5 mA
500
1000
2000
3000
4000
1.5
1.6
1.7
2.1
2.6
20.60
15.91
10.82
8.49
7.21
0.52
0.38
0.18
0.17
0.40
3
0.52
0.40
0.26
0.29
0.31
29
81
-158
-116
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE680M03 NPN SILICON TRANSISTOR
NE68518-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68519-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68530-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68533-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE68039R-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68039-T1 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 10V 0.035A 4-Pin(3+Tab) SOT-143 T/R
NE68039-T1-A 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE680M03 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR
NE681 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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