參數(shù)資料
型號(hào)： NE68033-T1B
廠商： NEC Corp.
英文描述： NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 鄰舍NPN硅高頻晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 17/19頁(yè)
文件大?。?/td> 246K
代理商： NE68033-T1B
OUTLINE DIMENSIONS
(Units in mm)
NE68000 (CHIP)
(Chip Thickness: 160
μ
m)
PACKAGE OUTLINE 18
PACKAGE OUTLINE 18
RECOMMENDED P.C.B. LAYOUT
PACKAGE OUTLINE 19
PACKAGE OUTLINE 19
RECOMMENDED P.C.B. LAYOUT
PACKAGE OUTLINE 30
RECOMMENDED P.C.B. LAYOUT
PIN CONNECTIONS
1. Collector
2. Emitter
3. Base
4. Emitter
PIN CONNECTIONS
1. Emitter
2. Base
3. Collector
PIN CONNECTIONS
1. Emitter
2. Base
3. Collector
PACKAGE OUTLINE 35
(MICRO-X)
PIN CONNECTIONS
1.Collector
2. Emitter
3. Base
4. Emitter
PACKAGE OUTLINE 30
NE680 SERIES
0.13
BASE
EMITTER
30
φ
0.060.35
±
0.01
0.35
±
0.01
2.1
±
0.2
1.25
±
0.1
1
2
3
0.3
(L -0.05
0.3
0.9
±
0.1
0 to 0.1
0.15 -0.05
2.0
±
0.2
4
0.4
+0.10
1.3
+0.10
0.65
0.65
0.60
0.65
1.6
±
0.1
0.8
±
0.1
1
2
3
0.3 -0.05
LEAD 3 ONLY
0.2 0
-
1.0
0.6
0.75
±
0.05
0 to 0.1
0.15 -0.05
1.6
±
0.1
0.5
0.3 -0.05
(ALL LEADS)
2.1
±
0.2
1.25
±
0.1
1
2
3
0.15
0.9
±
0.1
0 to 0.1
0.15 -0.05
2.0
±
0.2
0.65
1.3
MARKING
ALL LEADS
0.5
±
0.06
C
45
2.55
±
0.2
φ
2.1
0.55
1.8 MAX
+0.06
-0.04
0.1
E
B
E
0.6
4
0.8
3
1.7
2
1.25
1
1.3
3
2
1.0
0.5
0.6
1
0.6
1.7
3
2
1.3
0.65
0.8
1
0.6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE68039-T1 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68039R-T1 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE680M03 NPN SILICON TRANSISTOR
NE68518-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68519-T1 SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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NE68033-T1B-R44-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicon AMP Oscilltr Transist RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68033-T1B-R45-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN Silicon AMP Oscilltr Transist RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE68035 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:C BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
NE68037 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 35MA I(C) | MACRO-X
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