參數(shù)資料
型號： NE68030-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 鄰舍NPN硅高頻晶體管
文件頁數(shù)： 17/19頁
文件大?。?/td> 246K
代理商： NE68030-T1
OUTLINE DIMENSIONS
(Units in mm)
NE68000 (CHIP)
(Chip Thickness: 160
μ
m)
PACKAGE OUTLINE 18
PACKAGE OUTLINE 18
RECOMMENDED P.C.B. LAYOUT
PACKAGE OUTLINE 19
PACKAGE OUTLINE 19
RECOMMENDED P.C.B. LAYOUT
PACKAGE OUTLINE 30
RECOMMENDED P.C.B. LAYOUT
PIN CONNECTIONS
1. Collector
2. Emitter
3. Base
4. Emitter
PIN CONNECTIONS
1. Emitter
2. Base
3. Collector
PIN CONNECTIONS
1. Emitter
2. Base
3. Collector
PACKAGE OUTLINE 35
(MICRO-X)
PIN CONNECTIONS
1.Collector
2. Emitter
3. Base
4. Emitter
PACKAGE OUTLINE 30
NE680 SERIES
0.13
BASE
EMITTER
30
φ
0.060.35
±
0.01
0.35
±
0.01
2.1
±
0.2
1.25
±
0.1
1
2
3
0.3
(L -0.05
0.3
0.9
±
0.1
0 to 0.1
0.15 -0.05
2.0
±
0.2
4
0.4
+0.10
1.3
+0.10
0.65
0.65
0.60
0.65
1.6
±
0.1
0.8
±
0.1
1
2
3
0.3 -0.05
LEAD 3 ONLY
0.2 0
-
1.0
0.6
0.75
±
0.05
0 to 0.1
0.15 -0.05
1.6
±
0.1
0.5
0.3 -0.05
(ALL LEADS)
2.1
±
0.2
1.25
±
0.1
1
2
3
0.15
0.9
±
0.1
0 to 0.1
0.15 -0.05
2.0
±
0.2
0.65
1.3
MARKING
ALL LEADS
0.5
±
0.06
C
45
2.55
±
0.2
φ
2.1
0.55
1.8 MAX
+0.06
-0.04
0.1
E
B
E
0.6
4
0.8
3
1.7
2
1.25
1
1.3
3
2
1.0
0.5
0.6
1
0.6
1.7
3
2
1.3
0.65
0.8
1
0.6
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PDF描述
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