參數(shù)資料
型號(hào)： NE677M04-T2
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： NECs MEDIUM POWER NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
中文描述： 鄰舍中功率NPN硅高頻晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/7頁(yè)
文件大?。?/td> 62K
代理商： NE677M04-T2
GAIN BANDWIDTH PRODUCT
vs. COLLECTOR CURRENT
INSERTION POWER GAIN,
MAG, MSG vs. COLLECTOR CURRENT
INSERTION POWER GAIN,
MAG, MSG vs. COLLECTOR CURRENT
INSERTION POWER GAIN,
MAG, MSG vs. FREQUENCY
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25
°
C)
NE677M04
INSERTION POWER GAIN,
MAG vs. COLLECTOR CURRENT
NOISE FIGURE, ASSOCIATED GAIN
vs. COLLECTOR CURRENT
G
T
Collector Current I
C
(mA)
I
2
|
2
,
M
M
Frequency f (mA)
I
2
|
2
,
M
M
Collector Current I
C
(mA)
I
2
|
2
,
M
M
Collector Current I
C
(mA)
I
2
|
2
,
M
Collector Current I
C
(mA)
N
Collector Current I
C
(mA)
15
10
5
0
1
10
100
V
CE
= 3 V
f = 2 GHz
0
0.1
1
10
5
10
15
20
25
35
V
CE
= 3 V
I
c
= 20 mA
MAG
MSG
|S
21e
|
2
V
CE
= 3 V
f = 2 GHz
|S
21e
|
2
25
20
10
5
0
15
1
10
100
MAG
MSG
V
CE
= 3 V
f = 2.5 GHz
|S
21e
|
2
25
20
10
5
0
15
1
10
100
MAG
V
CE
= 3 V
f = 2 GHz
8
8
12
16
6
4
4
2
0
0
1
10
100
G
a
NF
V
CE
= 3 V
f = 1 GHz
MAG
MSG
|S
21e
|
2
1
10
100
25
20
10
5
0
15
A
a
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE68035 NONLINEAR MODEL
NE68119 NONLINEAR MODEL
NE681 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68100 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
NE68118-T1 NECs NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE677M04-T2-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE678M04 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE678M04-A 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN High Frequency RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
NE678M04-EV09 功能描述:射頻開發(fā)工具 For NE678M04-A at 900 MHz RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 產(chǎn)品:Wireless Modules 類型:Wireless Audio 工具用于評(píng)估:WYSAAVDX7 頻率: 工作電源電壓:3.4 V to 5.5 V
NE678M04-T2 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 9V 0.1A 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold T/R
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