參數(shù)資料
型號(hào)： NE5520279A-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： NECS 3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET
中文描述： 鄰舍3.2五，2瓦報(bào)
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大小： 166K
代理商： NE5520279A-T1
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T
A
= 25°C)
NE5520279A
OUTPUT POWER, DRAIN CURRENT
EFFICIENCY vs. INPUT POWER
Input Power,P
in
(dBm)
O
o
D
T
η
d
P
T
η
a
O
o
OUTPUT POWER, DRAIN CURRENT
EFFICIENCY vs. GATE TO SOURCE VOLTAGE
Gate to Source Voltage, V
gs
(V)
D
T
η
d
P
T
η
a
OUTPUT POWER, DRAIN CURRENT
EFFICIENCY vs. INPUT POWER
Input Power,P
in
(dBm)
O
o
D
T
η
d
P
T
η
a
Average Two Tone Ouput Power, P
out
(dBm)
I
IMD vs. TWO TONE OUTPUT POWER
O
o
OUTPUT POWER, DRAIN CURRENT
EFFICIENCY vs. INPUT POWER
Input Power,P
in
(dBm)
D
T
η
d
P
T
η
a
O
o
OUTPUT POWER, DRAIN CURRENT
EFFICIENCY vs. GATE TO SOURCE VOLTAGE
Gate to Source Voltage, V
gs
(V)
D
T
η
d
P
T
η
a
P
out
I
DS
η
d
10
15
20
25
30
5
35
30
25
20
15
10
0
25
50
75
100
1250
1000
750
500
250
0
I
d
(
η
dd
f = 1.8 GHz
V
DS
= 3.2 V
I
DQ
= 300 mA
P
out
I
DS
η
d
1
2
3
4
0
35
30
25
20
15
10
0
25
50
75
100
1250
1000
750
500
250
0
I
d
(
η
dd
f = 1.8 GHz
V
DS
= 3.2 V
P
in
= 25 dBm
P
out
I
DS
η
d
10
15
20
25
30
5
35
30
25
20
15
10
0
25
50
75
100
2500
2000
1500
1000
500
0
I
d
(
η
dd
f = 1.8 GHz
V
DS
= 3.2 V
I
DQ
= 700 mA
IM
3
IM
5
15
20
25
30
35
10
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
f = 1.8 GHz
f = 1 MHz
V
DS
= 3.2 V
I
DQ
= 700 mA
P
out
I
DS
η
d
10
15
20
25
30
35
35
40
30
25
20
15
0
25
50
75
100
2500
2000
1500
1000
500
0
I
d
(
η
dd
f = 2.00 GHz
V
DS
= 5.0 V
I
DQ
= 300 mA
P
out
I
DS
η
d
1
2
3
4
0
40
35
30
25
20
15
0
25
50
75
100
2500
2000
1500
1000
500
0
I
d
(
η
dd
f = 2.00 GHz
V
DS
= 5.0 V
P
in
= 27 dBm
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