參數資料
型號： NE5520279A-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： NECS 3.2 V, 2 W, L&S BAND MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET
中文描述： 鄰舍3.2五，2瓦報
文件頁數： 2/7頁
文件大?。?/td> 166K
代理商： NE5520279A-T1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1
(T
A
= 25 °C)
SYMBOLS PARAMETERS UNITS RATINGS
V
DS
Drain Supply Voltage V 15.0
V
GS
Gate Supply Voltage V 5.0
I
D
Drain Current A 0.6
I
D
Drain Current (Pulse Test)
2
A 1.2
P
T
Total Power Dissipation W 12.5
T
CH
Channel Temperature °C 125
T
STG
Storage Temperature °C -55 to +125
RECOMMENDED OPERATING LIMITS
SYMBOLS PARAMETERS UNITS TYP MAX
V
DS
Drain to Source Voltage V 3.0 6.0
V
GS
Gate Supply Voltage V 2.0 3.0
I
DS
Drain Current
1
A 0.8 1.0
P
IN
Input Power dBm 25 30
f = 1.8 GHz, V
DS
= 3.2 V
Note:
1. Operation in excess of any one of these parameters may result
in permanent damage.
2. Duty Cycle 50%, Ton = 1 s.
NE5520279A
Note:
1. Duty Cycle
≤
50%, Ton
≤
1 s.
PART NUMBER QTY
NE5520279A-T1 12 mm wide embossed taping.
Gate pin faces the perforation side of
the tape.
1 kpcs/Reel
ORDERING INFORMATION
FREQUENCY (GHz)
Z
in
(
)
Z
OL
(
)
1
1.8
1.77
j6.71
1.25
j5.73
Note:
1. Z
OL
is the conjugate of optimum load impedance at given
voltage, idling current, input power.
LARGE SIGNAL IMPEDANCE
(V
DS
= 3.2 V, I
D
= 700 mA, f = 1.8 GHz)
相關PDF資料
PDF描述
NE5532AI DUAL LOW-NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS
NE5532I DUAL LOW-NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS
NE5532 Dual Operational Amplifier
NE5532D Dual Operational Amplifier
NE5532N Dual Operational Amplifier
相關代理商/技術參數
參數描述
NE5520279A-T1-A 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
NE5520379A 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 L&S Band LD-MOSFET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
NE5520379A-A 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 L&S Band LD-MOSFET RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
NE5520379A-EVPW04 功能描述:射頻模塊 Silicon Medium Pwr LDMOS RoHS:否 制造商:Linx Technologies 產品:Transceiver Modules 頻帶:902 MHz to 928 MHz 輸出功率:- 15.5 dBm to + 12.5 dBm 接口類型:UART 工作電源電壓:- 0.3 VDC to + 5.5 VDC 傳輸供電電流:38.1 mA 接收供電電流:22.7 mA 天線連接器類型:U.FL 最大工作溫度:+ 85 C 尺寸:1.15 mm x 0.63 mm x 0.131 mm
NE5520379A-EVPW04-A 功能描述:射頻開發(fā)工具 Silicon Medium Power LDMOS Evaluation Fixture RoHS:否 制造商:Taiyo Yuden 產品:Wireless Modules 類型:Wireless Audio 工具用于評估:WYSAAVDX7 頻率: 工作電源電壓:3.4 V to 5.5 V
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*