參數(shù)資料
型號(hào)： NE5517
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 跨導(dǎo)放大器
英文描述： Dual Operational Transconductance Amplifier(雙運(yùn)算跨導(dǎo)放大器)
中文描述： 雙路運(yùn)算跨導(dǎo)放大器（雙運(yùn)算跨導(dǎo)放大器）
文件頁(yè)數(shù)： 6/14頁(yè)
文件大?。?/td> 186K
代理商： NE5517
NE5517, NE5517A, AU5517
http://onsemi.com
6
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
(continued)
1
20
0
-20
-40
-60
-80
-100
O
0.1 A 1 A
I
ABC
AMPLIFIER BIAS CURRENT ( A)
10 A
100 A
1000 A
VS =
±
15V
R
L
= 10k
OUTPUT NOISE
V
IN
= 40mV
P-P
V
IN
= 80mV
P-P
V
S
=
±
15V
T
amb
= +25
°
C
C
IN
C
OUT
7
6
5
4
3
2
1
0
0.1 A
1 A
10 A
100 A
1000 A
C
AMPLIFIER BIAS CURRENT (I
ABC
)
0.1 A
1 A
10 A
100 A
1000 A
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
A
AMPLIFIER BIAS CURRENT (I
ABC
)
-55
°
C
+25
°
C
+125
°
C
O
100
10
1
0.1
0.01
1
10
100
1000
DIFFERENTIAL INPUT VOLTAGE (mV
P-P
)
600
500
400
300
200
100
0
10
100
1k
10k
100k
O
FREQUENCY (Hz)
I
ABC
= 1mA
I
ABC
= 100 A
Figure 12. Amplifier Bias Voltage vs.
Amplifier Bias Current
Figure 13. Input and Output
Capacitance
Figure 14. Distortion vs. Differential
Input Voltage
Figure 15. Voltage vs. Amplifier Bias Current
Figure 16. Noise vs. Frequency
I
ABC
= 1mA
R
L
= 10k
Figure 17. Leakage Current Test Circuit
Figure 18. Differential Input Current Test Circuit
Figure 19. Buffer V
BE
Test Circuit
4, 13
2, 15
3, 14
+
NE5517
11
6
1, 15
5, 12
7, 10
8, 9
A
+36V
4, 13
2, 15
3, 14
+
NE5517
11
6
1, 10
5, 12
A
+15V
15V
4V
V
V+
50k
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE5517A Dual Operational Transconductance Amplifier(雙運(yùn)算跨導(dǎo)放大器)
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NE5532AI DUAL LOW-NOISE OPERATIONAL AMPLIFIERS
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NE5517D 功能描述:跨導(dǎo)放大器 Transconductance RoHS:否 制造商:Texas Instruments 通道數(shù)量:1 封裝 / 箱體:SOIC-14 帶寬: 輸入補(bǔ)償電壓:40 mV at +/- 5 V 電源電壓-最大:+/- 5 V 電源電流: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:Tube
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