參數(shù)資料
型號(hào)： NE4210S01
廠商： NEC Corp.
英文描述： Low Noise Amplifier N-Channel HJ-FET(低噪聲N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 低噪聲放大器N溝道黃建忠場(chǎng)效應(yīng)管（低噪聲?溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/16頁(yè)
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代理商： NE4210S01
Data Sheet P14232EJ2V0DS00
2
NE4210S01
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25 °C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Gate to Source Leak Current
I
GSO
V
GS
= –3 V
–
0.5
10
μ
A
Saturated Drain Current
I
DSS
V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
15
40
70
mA
Gate to Source Cut off Voltage
V
GS (off)
V
DS
= 2 V, I
DS
= 100
μ
A
–0.2
–0.7
–2.0
V
Transconductance
g
m
V
DS
= 2 V, I
DS
= 10 mA
40
55
–
mS
Noise Figure
NF
–
0.50
0.70
dB
Associated Gain
G
a
V
DS
= 2 V, I
DS
= 10 mA
f = 12 GHz
11.0
13.0
–
dB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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NE4210S01T1B 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans JFET 4V 70mA 4-Pin Case S01 T/R 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans JFET 4V 70mA AlGaAs HJFET 4-Pin Case S01 T/R
NE4210S01-T1B 功能描述:射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE4210S01-T1B-A 功能描述:MOSFET Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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