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參數(shù)資料
| 型號： | NE32500 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | Super Low Noise Amplifier N-Channel HJ-FET(超低噪聲放大器N溝道結(jié)型場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 超低噪聲放大器N溝道黃建忠場效應(yīng)管（超低噪聲放大器?溝道結(jié)型場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 33K |
| 代理商： | NE32500 |
NE32500, NE27200
2
CHIP DIMENSIONS
(Unit:
μ
m)
58
36.5
66
25
3
5.5
13
25
49.5
43
66
13
350
2
1
8
2
7
1
3
6
6
4
Drain
Source
Source
Gate
Thickness = 140 m
: BONDING AREA
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
0
0
50
1.5
3.0
100
150
200
250
T
A
– Ambient Temperature – C
V
DS
– Drain to Source Voltage – V
250
100
80
60
40
20
200
150
100
50
P
t
I
D
V
GS
= 0 V
–0.2 V
–0.4 V
–0.6 V
–0.8 V
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PDF描述 |
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