參數(shù)資料
型號: NE32084
廠商: NEC Corp.
英文描述: LOW COSET LOW NOISE K-BAND HETERO JUNCTION FET
中文描述: 低噪聲低陪集的K -波段異質(zhì)結(jié)場效應管
文件頁數(shù): 4/7頁
文件大小: 247K
代理商: NE32084
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE3210S01 Low Noise Amplifier N-Channel HJ-FET(低噪聲N溝道結(jié)型場效應管)
NE3210S01-T1 X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET
NE3210S01-T1B X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFER N-CHANNEL HJ-FET
NE32500 Super Low Noise Amplifier N-Channel HJ-FET(超低噪聲放大器N溝道結(jié)型場效應管)
NE32584C-T1 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE32100 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 4V V(BR)DSS | 12MA I(DSS) | CHIP
NE321000 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:C to Ka BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET CHIP
NE321000- 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 4V V(BR)DSS | 15MA I(DSS) | CHIP
NE321000_01 制造商:CEL 制造商全稱:CEL 功能描述:ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET
NE3210S01 功能描述:射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體: