參數(shù)資料
型號(hào)： NDT456P
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 7.5 A, 30 V, 0.03 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大小： 243K
代理商： NDT456P
NDT456P Rev. F
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.5
0.75
1
1.25
1.5
D
V = -10V
I =-7.5A
R
D
-20
-16
-12
-8
-4
0
0.5
1
1.5
2
2.5
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
V =-3.5V
-10
-5.0
-7.0
-4.5
-4.0
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current.
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature.
-4
-3.2
-2.4
-1.6
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
-0.8
-20
-16
-12
-8
-4
0
I
25
125
V =- 10V
D
J
-20
-16
-12
-8
-4
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = -10V
J
25°C
-55°C
R
D
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
G
V
G
I =- 250μA
V = V
GS
-3
-2
-1
0
-20
-16
-12
-8
-4
0
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = -10V
-6.0
-3.5
-4.0
-3.0
-2.5
-4.5
-5.0
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PDF描述
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