參數(shù)資料
型號： NDS8926
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 5.5 A, 20 V, 0.035 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 331K
代理商： NDS8926
NDS8926 Rev. D2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
V = 4.5V
I = 5.5A
R
D
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
G
I = 250μA
V = V
GS
V
t
0
5
10
I , DRAIN CURRENT (A)
15
20
25
30
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
D
V = 2.0V
GS
R
D
3.5
4.5
2.7
3.0
2.5
0
5
10
D
15
20
25
30
0.5
1
1.5
2
D
TJ
25°C
V = 4.5 V
-55°C
R
D
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics.
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current.
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature.
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0
5
10
15
20
25
30
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25°C
125°C
V = 5.0V
J
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
5
10
15
20
25
30
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
3.5
3.0
2.7
V =4.5V
GS
2.5
1.5
2.0
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PDF描述
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NDS8936 功能描述:MOSFET Dual N-Ch FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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