參數(shù)資料
型號(hào)： NDP6050
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（48A,50V，0.025Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流48A, 漏源電壓50V，導(dǎo)通電阻0.025Ω）)
中文描述： 48 A, 50 V, 0.025 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大小： 66K
代理商： NDP6050
NDP6050 Rev. A1 / NDB6050 Rev. B
0
1
2
3
4
5
6
0
20
40
60
80
100
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
V = 20V
6.0
5.0
7.0
8.0
10
12
9.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
V = 10V
I = 24A
R
D
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
G
V
G
I = 250μA
V = V
GS
0
20
40
60
80
100
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
V = 6.0V
9.0
10
7.0
8.0
20
12
0
20
40
60
80
100
0.5
1
1.5
2
2.5
I , DRAIN CURRENT (A)
D
V = 10V
J
25°C
-55°C
R
D
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
60
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25°C
125°C
V = 10V
J
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. On-Resistance Variation with Gate
Voltage and Drain Current
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature
Figure 4. On-Resistance Variation with Drain
Current and Temperature
Figure 5. Transfer Characteristics
Figure 6. Gate Threshold Variation with
Temperature
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NDB608A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（36A，80V，0.042Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流36A, 漏源電壓80V，導(dǎo)通電阻0.042Ω）)
NDP608A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP608AE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP608B N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP608BE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NDP6050L 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6051 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP6051L 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NDP605A 制造商:Texas Instruments 功能描述:
NDP605B 制造商:NSC 制造商全稱:National Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Power Fleid Effect Transistor
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*