參數(shù)資料
型號： NDB608BE
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 32 A, 80 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 73K
代理商： NDB608BE
NDP608.SAM
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
80
85
90
95
100
105
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
I = 250μA
B
D
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0.01
0.1
0.5
1
5
10
100
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
I
V = 0V
TJ
25°C
-55°C
S
0
20
40
60
80
0
5
10
15
20
Q , GATE CHARGE (nC)
V
24
64
I = 36A
G
V = 12V
1
2
3
5
10
20
30
50
50
100
200
300
1000
2000
3000
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
Input, Vin
Output, Vout
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
t
r
t
d(on)
Inverted
10%
Pulse Width
Figure 7. Breakdown Voltage
Variation with Temperature.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage
Variation with Current and
Temperature
.
Figure 9. Capacitance Characteristics
.
Figure 10. Gate Charge Characteristics.
Figure 36. Switching Test Circuit.
Figure 12. Switching Waveforms
.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
相關PDF資料
PDF描述
NDB7050L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP7050L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor（75A，50V，0.013Ω）(N溝道邏輯增強型MOS場效應管（漏電流75A, 漏源電壓50V，導通電阻0.013Ω）)
NDB7050 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDP7050 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（75A，50V，0.013Ω）(N溝道增強型MOS場效應管（漏電流75A, 漏源電壓50V，導通電阻0.013Ω）)
NDB7060 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor(N溝道增強型場效應管)
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NDB610A 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB610AE 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB610B 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB610BE 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB7050 功能描述:MOSFET DISC BY MFG 2/02 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*