參數(shù)資料
型號(hào)： NDB410BE
廠(chǎng)商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（8A,100V，0.3Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流8A, 漏源電壓100V，導(dǎo)通電阻0.3Ω）)
中文描述： 8 A, 100 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大小： 74K
代理商： NDB410BE
NDP410.SAM
0
2
V , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
4
6
8
0
4
8
12
16
I
D
12108.0
7.0
5.0
V = 20V
6.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
2.8
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
D
R
D
V = 10V
I = 4.5A
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
G
I = 250μA
V = V
GS
V
t
0
4
8
12
16
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
I , DRAIN CURRENT (A)
D
R
D
6.0
20
10
12
8.0
V = 5V
7.0
0
4
8
12
16
0
0.5
1
1.5
2
2.5
I , DRAIN CURRENT (A)
D
J
25°C
V = 10V
R
D
-55°C
Typical Electrical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
.
Figure 2. On-Resistance Variation with
Gate Voltage and Drain Current.
Figure 3. On-Resistance Variation
with Temperature.
Figure 4. On-Resistance Variation with
Drain Current and Temperature.
Figure 5. Transfer Characteristics.
Figure 6. Gate Threshold Variation
with Temperature
.
2
3
4
5
6
7
8
0
2
4
6
8
10
V , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
I
D
25
125
V = 10V
TJ
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PDF描述
NDB410A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（9A,100V，0.25Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流9A, 漏源電壓100V，導(dǎo)通電阻0.25Ω）)
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NDP5060L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
NDB5060 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor（26A,60V，0.05Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管（漏電流26A, 漏源電壓60V，導(dǎo)通電阻0.05Ω）)
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