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參數(shù)資料
| 型號： | NB3N551DG |
| 廠商： | ON Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 5/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC CLK BUFFER 1:4 180MHZ 8-SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 98 |
| 類型： | 扇出緩沖器（分配） |
| 電路數(shù)： | 1 |
| 比率 - 輸入:輸出： | 1:4 |
| 差分 - 輸入:輸出： | 無/無 |
| 輸入： | LVCMOS，LVTTL |
| 輸出： | LVCMOS，LVTTL |
| 頻率 - 最大： | 180MHz |
| 電源電壓： | 3 V ~ 5.5 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-SOICN |
| 包裝： | 管件 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 1115 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | NB3N551DG-ND NB3N551DGOS |
NB3N551
http://onsemi.com
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Figure 2. Phase Noise Plot at 25 MHz at an Operating Voltage of 3.3 V, Room Temperature
The above plot captured using Agilent E5052A shows Additive Phase Noise of the NB3N551 device measured with an input
source generated by Agilent E8663B. The RMS phase jitter contributed by the device (integrated between 12 kHz to 20 MHz;
as shown in the shaded region of the plot) is 43 fs (RMS Jitter of the input source is 203.31 fs and Output (DUT+Source) is
247.06 fs).
Figure 3. Phase Noise Plot at 50 MHz at an Operating Voltage of 5 V, Room Temperature
The above plot captured using Agilent E5052A shows Additive Phase Noise of the NB3N551 device measured with an input
source generated by Agilent E8663B. The RMS phase jitter contributed by the device (integrated between 12 kHz to 20 MHz;
as shown in the shaded region of the plot) is 16 fs (RMS Jitter of the input source is 104.08 fs and Output (DUT + Source) is
119.77 fs).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| NB3N551DR2G | IC CLK BUFFER 1:4 180MHZ 8-SOIC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NB3N551DR2G | 功能描述:時(shí)鐘緩沖器 1:4 CLOCK RoHS:否 制造商:Texas Instruments 輸出端數(shù)量:5 最大輸入頻率:40 MHz 傳播延遲（最大值）: 電源電壓-最大:3.45 V 電源電壓-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:LLP-24 封裝:Reel |
| NB3N551MNR4G | 功能描述:時(shí)鐘緩沖器 1:4 CLOCK RoHS:否 制造商:Texas Instruments 輸出端數(shù)量:5 最大輸入頻率:40 MHz 傳播延遲（最大值）: 電源電壓-最大:3.45 V 電源電壓-最小:2.375 V 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:LLP-24 封裝:Reel |
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