參數(shù)資料
型號： NAND512R4A2CZA6F
廠商： 意法半導體
英文描述： 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
中文描述： 512兆位，528 Byte/264字的頁面，1.8V/3V，NAND閃存芯片
文件頁數(shù)： 30/51頁
文件大?。?/td> 517K
代理商： NAND512R4A2CZA6F
DC and AC parameters
NAND512-A2C
36/51
Table 19.
DC Characteristics, 3V devices(1)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
IDD1
Operating
Current
Sequential
Read
tRLRL minimum
E=VIL, IOUT = 0 mA
-10
20
mA
IDD2
Program
-
10
20
mA
IDD3
Erase
-
10
20
mA
IDD4
Stand-by Current (TTL),
E=VIH, WP=0V/VDD
-
1
mA
IDD5
Stand-By Current (CMOS)
E=VDD-0.2, WP=0/VDD
-
10
50
A
ILI
Input Leakage Current
VIN= 0 to VDDmax
-
±10
A
ILO
Output Leakage Current
VOUT= 0 to VDDmax
-
±10
A
VIH
Input High Voltage
-
2.0
-
VDD+0.3
V
VIL
Input Low Voltage
-
0.3
-
0.8
V
VOH
Output High Voltage Level
IOH = 400A
2.4
-
V
VOL
Output Low Voltage Level
IOL = 2.1mA
-
0.4
V
IOL (RB)
Output Low Current (RB)
VOL = 0.4V
8
10
mA
VLKO
VDD Supply Voltage (Erase and
Program lockout)
-
1.7
V
1.
Leakage currents double on stacked devices.
Table 20.
AC characteristics for Command, Address, Data Input
Symbol
Alt.
Symbol
Parameter
1.8V
devices
3V
devices
Unit
tALLWH
tALS
Address Latch Low to Write Enable High
AL Setup time
Min
25
15
ns
tALHWH
Address Latch High to Write Enable High
tCLHWH
tCLS
Command Latch High to Write Enable High
CL Setup time
Min
25
15
ns
tCLLWH
Command Latch Low to Write Enable High
tDVWH
tDS
Data Valid to Write Enable High
Data Setup time
Min
20
15
ns
tELWH
tCS
Chip Enable Low to Write Enable High
E Setup time
Min
30
20
ns
tWHALH
tALH
Write Enable High to Address Latch High
AL Hold time
Min
10
5
ns
tWHALL
Write Enable High to Address Latch Low
tWHCLH
tCLH
Write Enable High to Command Latch High
CL hold time
Min
10
5
ns
tWHCLL
Write Enable High to Command Latch Low
tWHDX
tDH
Write Enable High to Data Transition
Data Hold time
Min
10
5
ns
tWHEH
tCH
Write Enable High to Chip Enable High
E Hold time
Min
10
5
ns
tWHWL
tWH
Write Enable High to Write Enable Low
W High Hold
time
Min
15
10
ns
tWLWH
tWP
Write Enable Low to Write Enable High
W Pulse Width
Min
25
15
ns
tWLWL
tWC
Write Enable Low to Write Enable Low
Write Cycle time Min
45
30
ns
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PDF描述
NAND512R4A2C 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND512W3A2CZA6E 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND512W3A2C 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAT-3DC-2A+ 1000 MHz - 3500 MHz RF/MICROWAVE FIXED ATTENUATOR
NC26SM-SLF-0.032768MHZ-EZM12510 QUARTZ CRYSTAL RESONATOR, 0.032768 MHz
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