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參數(shù)資料
| 型號： | NAND512R4A2CZA6F |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| 中文描述： | 512兆位，528 Byte/264字的頁面，1.8V/3V，NAND閃存芯片 |
| 文件頁數(shù)： | 28/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 517K |
| 代理商： | NAND512R4A2CZA6F |
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DC and AC parameters
NAND512-A2C
34/51
10
DC and AC parameters
This section summarizes the operating and measurement conditions, and the DC and AC
characteristics of the device. The parameters in the DC and AC characteristics Tables that
follow, are derived from tests performed under the Measurement Conditions summarized in
Table 16: Operating and AC measurement conditions. Designers should check that the
operating conditions in their circuit match the measurement conditions when relying on the
quoted parameters.
Table 16.
Operating and AC measurement conditions
Parameter
NAND Flash
Units
Min
Max
Supply Voltage (VDD)
1.8V devices
1.7
1.95
V
3V devices
2.7
3.6
V
Ambient Temperature (TA)
Grade 6
–40
85
°C
Load Capacitance (CL) (1 TTL GATE
and CL)
1.8V devices
30
pF
3V devices
50
pF
Input Pulses Voltages
1.8V devices
0
VDD
V
3V devices
0.4
2.4
V
Input and Output Timing Ref. Voltages
1.8V devices
0.9
V
3V devices
1.5
V
Input Rise and Fall Times
5
ns
Output Circuit Resistors, Rref
8.35
k
Table 17.
Capacitance
1.
TA = 25°C, f = 1 MHz. CIN and CI/O are not 100% tested.
2.
Input/Output capacitances double on stacked devices
Symbol
Parameter
Test Condition
Typ
Max
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN = 0V
10
pF
CI/O
Input/Output
Capacitance
VIL = 0V
10
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512R4A2C | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
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| NAND512W3A2C | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| NAND512W3A0AN6E | 功能描述:閃存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| NAND512W3A0AN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH PARALLEL 3V/3.3V 512MBIT 64MX8 12US 48TSOP - Tape and Reel |
| NAND512W3A0AV6E | 功能描述:IC FLASH 512MBIT 48WSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
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