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參數(shù)資料
| 型號： | NAND512R4A2CN6F |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| 中文描述： | 512兆位，528 Byte/264字的頁面，1.8V/3V，NAND閃存芯片 |
| 文件頁數(shù)： | 22/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 517K |
| 代理商： | NAND512R4A2CN6F |
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NAND512-A2C
Software algorithms
29/51
Figure 13.
Bad Block management flowchart
Table 13.
NAND Flash failure modes
Operation
Procedure
Erase
Block Replacement
Program
Block Replacement or ECC
Read
ECC
AI07588C
START
END
NO
YES
NO
Block Address =
Block 0
Data
= FFh?
Last
block?
Increment
Block Address
Update
Bad Block table
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512R4A2CZA6E | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R4A2CZA6F | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R4A2C | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512W3A2CZA6E | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512W3A2C | 512 Mbit, 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND512R4A2CWFD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| NAND512R4A2CZA6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:512MB. 3V X8 NO OPTION TSOP48TSOP-1 48 12X20 AL 42 - Trays |
| NAND512R4A2DDI6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| NAND512W3A0AN6 | 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| NAND512W3A0AN6E | 功能描述:閃存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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