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參數(shù)資料
| 型號： | NAND512R3A0BN6E |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| 中文描述： | 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的頁面，1.8V/3V，NAND閃存芯片 |
| 文件頁數(shù)： | 36/57頁 |
| 文件大小： | 410K |
| 代理商： | NAND512R3A0BN6E |
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NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
36/57
Table 19. DC Characteristics, 3V Devices
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I
DD1
Operating
Current
Sequential
Read
t
RLRL
minimum
E=V
IL,
I
OUT
= 0 mA
-
10
20
mA
I
DD2
Program
-
-
10
20
mA
I
DD3
Erase
-
-
10
20
mA
I
DD4
Stand-by Current (TTL),
128Mb, 256Mb, 512Mb devices
E=V
IH
, WP=0V/V
DD
-
-
1
mA
Stand-by Current (TTL)
512Mb and 1Gb Dual Die devices
-
-
2
mA
I
DD5
Stand-By Current (CMOS)
128Mb, 256Mb, 512Mb devices
E=V
DD
-0.2,
WP=0/V
DD
-
10
50
μA
Stand-By Current (CMOS)
512Mb and 1Gb Dual Die devices
-
20
100
μA
I
LI
Input Leakage Current
V
IN
= 0 to V
DD
max
-
-
±10
μA
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
= 0 to V
DD
max
-
-
±10
μA
V
IH
Input High Voltage
-
2.0
-
V
DD
+0.3
V
V
IL
Input Low Voltage
-
0.3
-
0.8
V
V
OH
Output High Voltage Level
I
OH
=
400μA
2.4
-
-
V
V
OL
Output Low Voltage Level
I
OL
= 2.1mA
-
-
0.4
V
I
OL
(RB)
Output Low Current (RB)
V
OL
= 0.4V
8
10
mA
V
LKO
V
DD
Supply Voltage (Erase and
Program lockout)
-
-
-
2.5
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND512R3A0CZB6T | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R3A2BZA1F | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R3A2BZA1T | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
| NAND512R3A2BZB1E | 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND512R3A2AZA6E | 功能描述:IC FLASH 512MBIT 55VFBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| NAND512R3A2BZA6E | 功能描述:閃存 128Mbit-1Gbit 1.8/3V RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| NAND512R3A2CZA6E | 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| NAND512R3A2CZA6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 1.8V 512Mbit 64M x 8bit 15us 63-Pin VFBGA T/R |
| NAND512R3A2DDI6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
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