參數(shù)資料
型號： NAND128W3A0AV6
廠商： 意法半導體
英文描述： 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
中文描述： 128兆，256兆，512兆位，1千兆位（x8/x16）528 Byte/264字的頁面，1.8V/3V，NAND閃存芯片
文件頁數(shù)： 53/57頁
文件大小： 916K
代理商： NAND128W3A0AV6
53/57
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
PART NUMBERING
Table 28. Ordering Information Scheme
Devices are shipped from the factory with the memory content bits, in valid blocks, erased to ’1’.
For further information on any aspect of this device, please contact your nearest ST Sales Office.
Example:
NAND512R3A
0
A ZA
1
T
Device Type
NAND = NAND Flash Memory
Density
128 = 128Mb
256 = 256Mb
512 = 512Mb
01G = 1Gb
Operating Voltage
R = V
DD
= 1.7 to 1.95V
W = V
DD
= 2.7 to 3.6V
Bus Width
3 = x8
4 = x16
Family Identifier
A = 528 Bytes/ 264 Word Page
Device Options
0 = No Options
2 = Chip Enable Don’t Care Enabled
Product Version
A = First Version
B = Second Version
C = Third Version
Package
N = TSOP48 12 x 20mm (all devices)
V = USOP48 12 x 17 x 0.65mm (128Mbit, 256Mbit and 512Mbit devices)
ZA = VFBGA55 8 x 10 x 1mm, 6x8 ball array, 0.8mm pitch (128Mbit and 256Mbit devices)
ZB = TFBGA55 8 x 10 x 1.2mm, 6x8 ball array, 0.8mm pitch (512Mbit Dual Die devices)
ZA = VFBGA63 9 x 11 x 1mm, 6x8 ball array, 0.8mm pitch (512Mbit devices)
ZB = TFBGA63 9 x 11 x 1.2mm, 6x8 ball array, 0.8mm pitch (1Gbit Dual Die devices)
Temperature Range
1 = 0 to 70 °C
6 = –40 to 85 °C
Option
blank = Standard Packing
T = Tape & Reel Packing
E = Lead Free Package, Standard Packing
F = Lead Free Package, Tape & Reel Packing
相關PDF資料
PDF描述
NAND256R3A0AZB6 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND128W4A0CZA6E 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND128R4A2BZA1E 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND01GW4A2BV1E 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
NAND128R3A2BV1E 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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NAND128W3A0BN6F 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND128W3A2BDI6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND128W3A2BN6E 功能描述:閃存 NAND 128 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND128W3A2BN6F 功能描述:閃存 NAND 128 MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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