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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MX29LV640BTC-12 |
| 廠商： | MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M-BIT [8M x 8/4M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 3V PROM, 120 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, PLASTIC, MO-142, TSOP1-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 33/70頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1188K |
| 代理商： | MX29LV640BTC-12 |
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33
P/N:PM0920
REV. 1.2, NOV. 05, 2003
MX29LV640T/B
Notes:
1. On the WP pin only, the maximum input load current when WP = VIL is
±
5.0uA
2. Maximum ICC specifications are tested with VCC = VCC max.
3. The ICC current listed is typically is less than 2 mA/MHz, with OE at VIH . Typical specifications are for VCC =
3.0V.
4. ICC active while Embedded Erase or Embedded Program is in progress.
5. Automatic sleep mode enables the low power mode when addresses remain stable for t ACC + 30 ns. Typical sleep
mode current is 200 nA.
6. Not 100% tested.
DC CHARACTERISTICS
TA=-40
°
C to 85
°
C, VCC=2.7V~3.6V
Para-
meter Description
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
I LI
Input Load Current (Note 1)
VIN = VSS to VCC ,
±
1.0
uA
VCC = VCC max
I LIT
A9 Input Leakage Current
VCC=VCC max; A9 = 12.5V
35
uA
I LO
Output Leakage Current
VOUT = VSS to VCC ,
±
1.0
uA
VCC= VCC max
ICC1 VCC Active Read Current
CE= VIL, OE = VIH
5 MHz
9
16
mA
(Notes 2,3)
1 MHz
2
4
mA
ICC2 VCC Active Write Current
CE= V IL , OE = V IH
26
30
mA
(Notes 2,4,6)
ICC3 VCC Standby Current
CE,RESET=VCC
±
0.3V
0.2
15
uA
(Note 2)
WP=VIH
ICC4 VCC Reset Current
RESET=VSS
±
0.3V
0.2
15
uA
(Note 2)
WP=VIH
ICC5 Automatic Sleep Mode
VIL = V SS
±
0.3 V,
0.2
15
uA
(Note 2,5)
VIH = VCC
±
0.3 V,
WP=VIH
VIL
Input Low Voltage
-0.5
0.8
V
VIH
Input High Voltage
0.7xVcc
Vcc+0.3
V
VID
Voltage for Autoselect and
VCC = 3.0 V
±
10%
11.5
12.5
V
Temporary Sector Unprotect
VOL
Output Low Voltage
IOL= 4.0mA,VCC=VCC min
0.45
V
VOH1 Output High Voltage
IOH=-2.0mA,VCC=VCC min
0.85VCC
V
VOH2
IOH=-100uA,VCC=VCC min
VCC-0.4
V
VLKO Low VCC Lock-Out Voltage
1.5
V
(Note 4)
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