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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MX29LV320ABTC-70 |
| 廠商： | MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 32M-BIT [4M x 8 / 2M x 16] SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, PLASTIC, MO-142, TSOP1-48 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 24/60頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 619K |
| 代理商： | MX29LV320ABTC-70 |
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24
P/N:PM1008
REV. 1.1, MAY 28, 2004
MX29LV320AT/B
Table 6-1. CFI mode: Identification Data Values
(All values in these tables are in hexadecimal)
Description
Address (h)
(Word Mode)
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
1A
Address (h)
(Byte Mode)
20
22
24
26
28
2A
2C
2E
30
32
34
Data (h)
Query-unique ASCII string "QRY"
0051
0052
0059
0002
0000
0040
0000
0000
0000
0000
0000
Primary vendor command set and control interface ID code
Address for primary algorithm extended query table
Alternate vendor command set and control interface ID code (none)
Address for secondary algorithm extended query table (none)
Table 6-2. CFI Mode: System Interface Data Values
Description
Address (h)
(Word Mode)
1B
1C
1D
1E
1F
20
21
22
23
24
25
26
Address (h)
(Byte Mode)
36
38
3A
3C
3E
40
42
44
46
48
4A
4C
Data (h)
VCC supply, minimum (2.7V)
VCC supply, maximum (3.6V)
VPP supply, minimum (none)
VPP supply, maximum (none)
Typical timeout for single word/byte write (2
N
us)
Typical timeout for maximum size buffer write (2
N
us) (not supported)
Typical timeout for individual sector erase (2
N
ms)
Typical timeout for full chip erase (2
N
ms)
Maximum timeout for single word/byte write times (2
N
X Typ)
Maximum timeout for maximum size buffer write times (2
N
X Typ)
Maximum timeout for individual sector erase times (2
N
X Typ)
Maximum timeout for full chip erase times (not supported)
0027
0036
0000
0000
0004
0000
000A
0000
0005
0000
0004
0000
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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