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參數(shù)資料
| 型號： | MX29LV161BTI-70R |
| 廠商： | MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1A 20V Schottky Rectifier; Package: SOD-123FL 2 LEAD; No of Pins: 2; Container: Tape and Reel; Qty per Container: 10000 |
| 中文描述： | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP1-48 |
| 文件頁數(shù)： | 30/58頁 |
| 文件大小： | 995K |
| 代理商： | MX29LV161BTI-70R |
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30
P/N:PM0855
MX29LV161T/B
REV. 1.0, SEP. 24, 2001
All data in chip are erased. External erase verification is
not required because data is verified automatically by
internal control circuit. Erasure completion can be veri-
fied by DATA polling and toggle bit checking after auto-
matic erase starts. Device outputs 0 during erasure
and 1 after erasure on Q7.(Q6 is for toggle bit; see toggle
bit, DATA polling, timing waveform)
Figure 6. AUTOMATIC CHIP ERASE TIMING WAVEFORM
AUTOMATIC CHIP ERASE TIMING WAVEFORM
tWC
Address
OE
CE
55h
2AAh
555h
10h
ProIn
VA
VA
NOTES:
SA=sector address(for Sector Erase), VA=Valid Address for reading status data(see "Write Operation Status").
tAS
tAH
tGHWL
tCH
tWP
tDS
tDH
tWHWH2
Read Status Data
Erase Command Sequence(last two cycle)
tBUSY
tRB
tCS
tWPH
tVCS
WE
Data
RY/BY
VCC
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MX29LV320EBTI-70G | 功能描述:IC FLASH PAR 3V 32MB 70NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:MX29LV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6 |
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