參數(shù)資料
型號： MX29LV160AB
廠商： Macronix International Co., Ltd.
英文描述： 16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
中文描述： 1,600位[2Mx8/1Mx16] CMOS單電壓3V時僅閃存
文件頁數(shù)： 26/66頁
文件大?。?/td> 1359K
代理商： MX29LV160AB
26
P/N:PM0866
MX29LV160T/B & MX29LV160AT/AB
REV. 3.7, APR. 23, 2003
29LV160(A)T/B-70
29LV160(A)T/B-90
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
UNIT
tWC
Write Cycle Time (Note 1)
70
90
ns
tAS
Address Setup Time
0
0
ns
tAH
Address Hold Time
45
45
ns
tDS
Data Setup Time
35
45
ns
tDH
Data Hold Time
0
0
ns
tOES
Output Enable Setup Time
0
0
ns
tGHWL
Read Recovery Time Before Write
0
0
ns
(OE High to WE Low)
tCS
CE Setup Time
0
0
ns
tCH
CE Hold Time
0
0
ns
tWP
Write Pulse Width
35
35
ns
tWPH
Write Pulse Width High
30
30
ns
tWHWH1
Programming Operation (Note 2)
9/11(typ.)
9/11(typ.)
us
(Byte/Word program time)
tWHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
0.7(typ.)
0.7(typ.)
sec
tVCS
VCC Setup Time (Note 1)
50
50
us
tRB
Recovery Time from RY/BY
0
0
ns
tBUSY
Sector Erase Valid to RY/BY Delay
90
90
ns
Chip Erase Valid to RY/BY Delay
90
90
ns
Program Valid to RY/BY Delay
90
90
ns
tWPP1
Write pulse width for sector
100ns
10us(typ.) 100ns
10us(typ.)
protect (A9, OE Control)
tWPP2
Write pulse width for sector
100ns
12ms(typ.) 100ns
12ms(typ.)
unprotect (A9, OE Control)
tVLHT
Voltage transition time
4
4
us
tOESP
OE setup time to WE active
4
4
us
NOTES:
1. Not 100% tested.
2. See the "Erase and Programming Performance" section for more information.
Table 11. Erase/Program Operations
AC CHARACTERISTICS
TA = -40
o
C to 85
o
C, VCC = 2.7V~3.6V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MX29LV160B 16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
MX29LV160T 16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
MX29LV160AT 10A 35V Schottky Rectifier; Package: TO-220AC 2 LEAD; No of Pins: 2; Container: Rail; Qty per Container: 50
MX29LV161BXBI-90 16M-BIT [2Mx8/1Mx16] CMOS SINGLE VOLTAGE 3V ONLY FLASH MEMORY
MX29LV161BTC-70 1 A 20 V Schottky Rectifier; Package: SOD-123FL 2 LEAD; No of Pins: 2; Container: Tape and Reel; Qty per Container: 10000
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參數(shù)描述
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MX29LV160DBGBI-70G 制造商:Macronix International Co Ltd 功能描述:MX29LV Series 3 V 16 Mb (8M x 2 / 16M x 1) 70 ns Parallel Flash - xFLGA-48
MX29LV160DBTI-70G 功能描述:IC FLASH PAR 3V 16MB 70NS 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:MX29LV 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6
MX29LV160DBTI-70GTR 制造商:Macronix International Co Ltd 功能描述:
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