- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359254 > MX29F100BMC-55 x8/x16 Flash EEPROM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MX29F100BMC-55 |
| 英文描述： | x8/x16 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x8/x16閃存EEPROM |
| 文件頁數(shù)： | 37/43頁 |
| 文件大小： | 570K |
| 代理商： | MX29F100BMC-55 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁當前第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁
37
REV. 2.3, JUL. 09, 2002
P/N: PM0515
MX29F001T/B
MIN.
MAX.
Input Voltage with respect to GND on all pins except I/O pins
-1.0V
13.5V
Input Voltage with respect to GND on all I/O pins
-1.0V
Vcc + 1.0V
Current
-100mA
+100mA
Includes all pins except Vcc. Test conditions: Vcc = 5.0V, one pin at a time.
LIMITS
PARAMETER
MIN.
TYP.(2)
MAX.(3)
UNITS
Sector Erase Time
1
8
s
Chip Erase Time
3
24
s
Byte Programming Time
7
210
us
Chip Programming Time
3.5
10.5
sec
Erase/Program Cycles
100,000
Cycles
LATCH-UP CHARACTERISTICS
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE (1)
Note:
1.Not 100% Tested, Excludes external system level over head.
2.Typical values measured at 25
°
C,5V.
3.Maximum values measured at 85
°
C,4.5V.
PARAMETER
MIN.
UNIT
Data Retention Time
20
Years
DATA RETENTION
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MX29F100BMC-12 | x8/x16 Flash EEPROM |
| MX29F004TTI-90 | EEPROM |
| MX29F004TTI-70 | EEPROM |
| MX29F004TTI-55 | EEPROM |
| MX29F004TTI-12 | EEPROM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MX29F100BMC-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| MX29F100BMC-90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| MX29F100BTC-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| MX29F100BTC-55 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
| MX29F100BTC-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8/x16 Flash EEPROM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。