參數(shù)資料
型號(hào)： MX29F040TC-70
廠商： MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD
元件分類： DRAM
英文描述： 4M-BIT [512KX8] CMOS EQUAL SECTOR FLASH MEMORY
中文描述： 512K X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO32
封裝： 8 X 20 MM, PLASTIC, MO-142, TSOP1-32
文件頁(yè)數(shù)： 34/39頁(yè)
文件大?。?/td> 872K
代理商： MX29F040TC-70
34
P/N:PM0538
REV. 1.6, AUG. 08, 2001
MX29F040
MIN.
MAX.
Input Voltage with respect to GND on all pins except I/O pins
-1.0V
13.5V
Input Voltage with respect to GND on all I/O pins
-1.0V
Vcc + 1.0V
Current
-100mA
+100mA
Includes all pins except Vcc. Test conditions: Vcc = 5.0V, one pin at a time.
LIMITS
TYP.(2)
PARAMETER
MIN.
MAX.(3)
UNITS
Sector Erase Time
1.3
10.4
sec
Chip Erase Time
4
32
sec
Byte Programming Time
7
210
us
Chip Programming Time
4
12
sec
Erase/Program Cycles
100,000
Cycles
LATCHUP CHARACTERISTICS
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE(1)
Note:
1.Not 100% Tested, Excludes external system level over head.
2.Typical values measured at 25
°
C,5V.
3.Maximunm values measured at 25
°
C,4.5V.
PARAMETER
MIN.
UNIT
Data Retention Time
20
Years
DATA RETENTION
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PDF描述
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參數(shù)描述
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