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參數(shù)資料
| 型號： | MX29F001TPC-90 |
| 廠商： | MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 128K X 8 FLASH 5V PROM, 90 ns, PDIP32 |
| 封裝： | 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 |
| 文件頁數(shù)： | 15/43頁 |
| 文件大小： | 876K |
| 代理商： | MX29F001TPC-90 |
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15
REV. 2.1, JUN. 14, 2001
P/N: PM0515
MX29F001T/B
DC CHARACTERISTICS
TA = 0
o
C to 70
o
C, VCC = 5V
±
10%(VCC = 5V
±
5% for 29F001T/B-55)
SYMBOL
PARAMETER
MIN.
TYP
MAX.
UNIT
CONDITIONS
ICC1 (Read)
Operating VCC Current
30
mA
IOUT=0mA, f=5MHz
ICC2
50
mA
IOUT=0mA, F=10MHz
ICC3 (Program)
50
mA
In Programming
ICC4 (Erase)
50
mA
In Erase
ICCES
VCC Erase Suspend Current
2
mA
CE=VIH, Erase Suspended
COMMAND PROGRAMMING/DATA PROGRAMMING/ERASE OPERATION
NOTES:
1. VIL min. = -0.6V for pulse width < 20ns.
2. If VIH is over the specified maximum value, programming
operation cannot be guranteed.
3. ICCES is specified with the device de-selected. If the device
is read during erase suspend mode, current draw is the sum
of ICCES and ICC1 or ICC2.
4. All current are in RMS unless otherwise noted.
READ TIMING WAVEFORMS
A0~16
CE
OE
tACC
WE
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VIH
VIL
VOH
VOL
HIGH Z
HIGH Z
DATA Valid
tOE
tDF
tCE
DATA
Q0~7
tOH
ADD Valid
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MX29F001TTC-12 | 1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F001TTC-55 | 1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F001TTC-70 | 1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F001TTC-90 | 1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
| MX29F001TQC-12 | 1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MX29F001TPI-12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM |
| MX29F001TPI-55 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM |
| MX29F001TPI-70 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM |
| MX29F001TPI-90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM |
| MX29F001TQC-12 | 制造商:MCNIX 制造商全稱:Macronix International 功能描述:1M-BIT [128K x 8] CMOS FLASH MEMORY |
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